IRLS630A

Fairchild 飞兆/仙童分立器件

先进的功率MOSFET Advanced Power MOSFET

Advanced Power MOSFET

FEATURES

♦Logic-Level Gate Drive

♦Avalanche Rugged Technology

♦Rugged Gate Oxide Technology

♦Lower Input Capacitance

♦Improved Gate Charge

♦Extended Safe Operating Area

♦Lower Leakage Current: 10µA Max. @ VDS= 100V

♦Lower RDSON: 0.336ΩTyp.

艾睿:
Trans MOSFET N-CH 200V 6.5A 3-Pin3+Tab TO-220F

IRLS630A中文资料参数规格

技术参数

极性 N-CH

耗散功率 36W Tc

漏源极电压Vds 200 V

连续漏极电流Ids 6.5A

输入电容Ciss 755pF @25VVds

耗散功率Max 36W Tc

封装参数

安装方式 Through Hole

封装 TO-220-3

外形尺寸

封装 TO-220-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

符合标准

RoHS标准

含铅标准无铅

IRLS630A引脚图与封装图

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