IPP90R800C3XKSA1

Infineon(英飞凌) 分立器件

Infineon CoolMOS C3 系列 Si N沟道 MOSFET IPP90R800C3XKSA1, 6.9 A, Vds=900 V, 3引脚 TO-220封装

CoolMOS™C3 功率 MOSFET

得捷:
MOSFET N-CH 900V 6.9A TO220-3

欧时:
Infineon CoolMOS C3 系列 Si N沟道 MOSFET IPP90R800C3XKSA1, 6.9 A, Vds=900 V, 3引脚 TO-220封装

贸泽:
MOSFET LOW POWER_LEGACY

艾睿:
Trans MOSFET N-CH 900V 6.9A 3-Pin3+Tab TO-220 Tube

TME:
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 900V; 4.4A; 104W; PG-TO220-3

Verical:
Trans MOSFET N-CH 900V 6.9A 3-Pin3+Tab TO-220 Tube

IPP90R800C3XKSA1中文资料参数规格

技术参数

额定功率 104 W

极性 N-Channel

耗散功率 104 W

漏源极电压Vds 900 V

连续漏极电流Ids 6.90 A

上升时间 20 ns

输入电容Ciss 1100pF @100VVds

下降时间 32 ns

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 104 W

封装参数

安装方式 Through Hole

引脚数 3

封装 TO-220-3

外形尺寸

长度 10 mm

宽度 4.4 mm

高度 15.65 mm

封装 TO-220-3

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tube

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

IPP90R800C3XKSA1引脚图与封装图

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