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IPB020N04NGATMA1

IPB020N04NGATMA1

数据手册.pdf
Infineon(英飞凌) 分立器件

Infineon OptiMOS 3 系列 Si N沟道 MOSFET IPB020N04NGATMA1, 140 A, Vds=40 V, 7引脚 D2PAK TO-263封装

I OptiMOS™3 功率 MOSFET,高达 40V

OptiMOS™产品提供高效能封装,以解决最具挑战性的应用,在有限空间内提供完全的灵活性。 这些 Infineon 产品经的设计符合并超过计算机应用中更严格的下一代电压调节标准的能效和功率密度要求。

快速切换 MOSFET,用于 SMPS

优化技术,用于直流/直流转换器

符合目标应用的 JEDEC1 规格

N 通道,逻辑电平

极佳的栅极电荷 x R DSon 产品 FOM

极低导通电阻 R DSon

无铅电镀


欧时:
Infineon OptiMOS 3 系列 Si N沟道 MOSFET IPB020N04NGATMA1, 140 A, Vds=40 V, 7引脚 D2PAK TO-263封装


立创商城:
N沟道 40V 140A


得捷:
MOSFET N-CH 40V 140A TO263-7


艾睿:
Trans MOSFET N-CH 40V 140A 7-Pin6+Tab D2PAK T/R


安富利:
MV POWER MOS


TME:
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 140A; 167W; PG-TO263-7


Verical:
Trans MOSFET N-CH 40V 140A 7-Pin6+Tab D2PAK T/R


IPB020N04NGATMA1中文资料参数规格
技术参数

额定功率 167 W

漏源极电阻 0.0017 Ω

极性 N-CH

耗散功率 167 W

阈值电压 10 V

漏源极电压Vds 40 V

连续漏极电流Ids 140A

上升时间 6.4 ns

输入电容Ciss 7300pF @20VVds

下降时间 7.8 ns

工作温度Max 175 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 167 W

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 7

封装 TO-263

外形尺寸

长度 10.31 mm

宽度 9.45 mm

高度 4.57 mm

封装 TO-263

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

制造应用 Synchronous rectification, Isolated DC-DC converters, Or-ing switches

符合标准

RoHS标准

含铅标准 Lead Free

REACH SVHC版本 2015/12/17

IPB020N04NGATMA1引脚图与封装图
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