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IPD90N10S4L06ATMA1

IPD90N10S4L06ATMA1

数据手册.pdf
Infineon(英飞凌) 分立器件

晶体管, MOSFET, N沟道, 90 A, 100 V, 0.0058 ohm, 10 V, 1.6 V

Summary of Features:

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N-channel - Enhancement mode
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AEC qualified
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MSL1 up to 260°C peak reflow
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175°C operating temperature
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Green Product RoHS compliant
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100% Avalanche tested

Benefits:

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highest current capability 180A
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low switching and conduction power losses for high thermal efficiency
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robust packages with superior quality and reliability
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optimized total gate charge enables smaller driver output stages
IPD90N10S4L06ATMA1中文资料参数规格
技术参数

针脚数 3

漏源极电阻 0.0058 Ω

极性 N-CH

耗散功率 136 W

阈值电压 1.6 V

漏源极电压Vds 100 V

连续漏极电流Ids 90A

上升时间 6 ns

输入电容Ciss 6250pF @25VVds

下降时间 40 ns

工作温度Max 175 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 136W Tc

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 3

封装 TO-252-3

外形尺寸

封装 TO-252-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 175℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

制造应用 HID lighting, 48V inverter, 48V DC/DC

符合标准

RoHS标准

含铅标准 无铅

IPD90N10S4L06ATMA1引脚图与封装图
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