极性 N-Channel
耗散功率 3.8 W
产品系列 IRL3705NS
漏源极电压Vds 55 V
连续漏极电流Ids 89.0 A
输入电容Ciss 3600pF @25VVds
额定功率Max 3.8 W
引脚数 3
封装 TO-263-3
封装 TO-263-3
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
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IRL3705NSTRLPBF | International Rectifier 国际整流器 | Trans MOSFET N-CH 55V 89A 3Pin2+Tab D2PAK T/R | 搜索库存 |
图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
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型号: IRL3705NSTRLPBF 品牌: International Rectifier 国际整流器 封装: TO-263-3 N-Channel 55V 89A | 当前型号 | Trans MOSFET N-CH 55V 89A 3Pin2+Tab D2PAK T/R | 当前型号 | |
型号: STB55NF06T4 品牌: 意法半导体 封装: TO-263 N-Channel 60V 50A 18mohms | 功能相似 | N 通道 STripFET™ II,STMicroelectronicsSTripFET™ MOSFET,带宽击穿电压范围,可提供超低栅极电话和低接通电阻。### MOSFET 晶体管,STMicroelectronics | IRL3705NSTRLPBF和STB55NF06T4的区别 | |
型号: STB60NF06LT4 品牌: 意法半导体 封装: D2PAK N-Channel 60V 60A 14mΩ | 功能相似 | STMICROELECTRONICS STB60NF06LT4 晶体管, MOSFET, N沟道, 60 A, 60 V, 16 mohm, 5 V, 1 V | IRL3705NSTRLPBF和STB60NF06LT4的区别 | |
型号: STB55NF06LT4 品牌: 意法半导体 封装: TO-263 N-Channel 30V 220A 14mohms | 功能相似 | STMICROELECTRONICS STB55NF06LT4 晶体管, MOSFET, N沟道, 55 A, 30 V, 0.014 ohm, 16 V, 1.7 V | IRL3705NSTRLPBF和STB55NF06LT4的区别 |