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IPI072N10N3GXKSA1

IPI072N10N3GXKSA1

数据手册.pdf
Infineon(英飞凌) 分立器件

TO-262 N-CH 100V 80A

通孔 N 通道 80A(Tc) 150W(Tc) PG-TO262-3


得捷:
MOSFET N-CH 100V 80A TO262-3


艾睿:
Trans MOSFET N-CH 100V 80A 3-Pin3+Tab TO-262 Tube


IPI072N10N3GXKSA1中文资料参数规格
技术参数

极性 N-CH

耗散功率 150W Tc

漏源极电压Vds 100 V

连续漏极电流Ids 80A

上升时间 37 ns

输入电容Ciss 4910pF @50VVds

下降时间 9 ns

工作温度Max 175 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 150W Tc

封装参数

安装方式 Through Hole

引脚数 3

封装 TO-262-3

外形尺寸

长度 10.2 mm

宽度 4.5 mm

高度 9.45 mm

封装 TO-262-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 175℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tube

制造应用 Isolated DC-DC converters telecom and datacom systems, Class D audio amplifiers, Or-ing switches and circuit breakers in 48V systems, Uninterruptable power supplies UPS, Synchronous rectification for AC-DC SMPS

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

IPI072N10N3GXKSA1引脚图与封装图
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