IPD50R399CPATMA1

Infineon(英飞凌) 分立器件

DPAK N-CH 500V 9A

表面贴装型 N 通道 500 V 9A（Tc） 83W（Tc） PG-TO252-3-313

得捷:
LOW POWER_LEGACY

艾睿:
Trans MOSFET N-CH 500V 9A 3-Pin2+Tab DPAK T/R

安富利:
Trans MOSFET N-CH 550V 9A 3-Pin TO-252 T/R

TME:
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 9A; 83W; PG-TO252-3

Win Source:
LOW POWER_LEGACY

IPD50R399CPATMA1中文资料参数规格

技术参数

额定功率 83 W

极性 N-CH

耗散功率 83000 mW

漏源极电压Vds 500 V

连续漏极电流Ids 9A

上升时间 14 ns

输入电容Ciss 890pF @100VVds

下降时间 14 ns

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 83000 mW

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 3

封装 TO-252-3

外形尺寸

封装 TO-252-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准

含铅标准 Lead Free

海关信息

ECCN代码 EAR99

IPD50R399CPATMA1引脚图与封装图

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