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IRF2807ZPBF

IRF2807ZPBF

数据手册.pdf
International Rectifier 国际整流器 分立器件
IRF2807ZPBF中文资料参数规格
技术参数

额定电压DC 75.0 V

额定电流 75.0 A

漏源极电阻 9.4 mΩ

极性 N-Channel

耗散功率 170 W

产品系列 IRF2807Z

阈值电压 4 V

输入电容 3270pF @25V

漏源极电压Vds 75 V

漏源击穿电压 75 V

连续漏极电流Ids 75.0 A

上升时间 79.0 ns

输入电容Ciss 3270pF @25VVds

额定功率Max 170 W

工作温度Max 175 ℃

工作温度Min -55 ℃

封装参数

安装方式 Through Hole

引脚数 3

封装 TO-220-3

外形尺寸

长度 10.67 mm

高度 9.02 mm

封装 TO-220-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 175℃

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Rail, Tube

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC

REACH SVHC版本 2014/12/17

IRF2807ZPBF引脚图与封装图
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型号 制造商 描述 购买
IRF2807ZPBF International Rectifier 国际整流器 MOSFET, Power; N-Ch; VDSS 75V; RDSON 7.5Milliohms; ID 89A; TO-220AB; PD 170W; -55deg 搜索库存
替代型号IRF2807ZPBF
图片 型号/品牌/封装 代替类型 描述 替代型号对比

型号: IRF2807ZPBF

品牌: International Rectifier 国际整流器

封装: TO-220-3 N-Channel 75V 75A

当前型号

MOSFET, Power; N-Ch; VDSS 75V; RDSON 7.5Milliohms; ID 89A; TO-220AB; PD 170W; -55deg

当前型号

型号: STP75NF75

品牌: 意法半导体

封装: TO-220 N-Channel 75V 80A 9.5mΩ

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N 通道 STripFET™ II,STMicroelectronicsSTripFET™ MOSFET,带宽击穿电压范围,可提供超低栅极电话和低接通电阻。 ### MOSFET 晶体管,STMicroelectronics

IRF2807ZPBF和STP75NF75的区别

型号: FDP75N08A

品牌: 飞兆/仙童

封装: TO-220 N-Channel 75V 75A 11mohms 4.47nF

功能相似

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IRF2807ZPBF和FDP75N08A的区别

型号: STP80NF55L-06

品牌: 意法半导体

封装: TO-220 N-Channel 55V 80A 6.5mΩ

功能相似

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IRF2807ZPBF和STP80NF55L-06的区别