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ICTE15C-E3/54

ICTE15C-E3/54

数据手册.pdf

Diode TVS Single Bi-Dir 15V 1.5kW 2Pin Case 1.5KE T/R

21.4V Clamp 60A Ipp Tvs Diode Through Hole 1.5KE


得捷:
TVS DIODE 15V 21.4V 1.5KE


艾睿:
Diode TVS Single Bi-Dir 15V 1.5KW 2-Pin Case 1.5KE T/R


富昌:
600 W SMB 封装 7 V 双向 SMD 瞬态电压抑制二极管


ICTE15C-E3/54中文资料参数规格
技术参数

工作电压 15 V

击穿电压 17.6 V

钳位电压 21.4 V

脉冲峰值功率 1500 W

最小反向击穿电压 17.6 V

封装参数

安装方式 Through Hole

引脚数 2

封装 DO-201AA

外形尺寸

长度 9.5 mm

高度 5.3 mm

封装 DO-201AA

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 175℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

制造应用 通用

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

ICTE15C-E3/54引脚图与封装图
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型号 制造商 描述 购买
ICTE15C-E3/54 Vishay Semiconductor 威世 Diode TVS Single Bi-Dir 15V 1.5kW 2Pin Case 1.5KE T/R 搜索库存
替代型号ICTE15C-E3/54
图片 型号/品牌/封装 代替类型 描述 替代型号对比

型号: ICTE15C-E3/54

品牌: Vishay Semiconductor 威世

封装: DO-201AA

当前型号

Diode TVS Single Bi-Dir 15V 1.5kW 2Pin Case 1.5KE T/R

当前型号

型号: 1N6385-E3/54

品牌: 威世

封装: DO-201AA

完全替代

TRANSZORB® 瞬态电压抑制器轴向双向 1500W,Vishay Semiconductor### 瞬态电压抑制器,Vishay Semiconductor

ICTE15C-E3/54和1N6385-E3/54的区别

型号: 1N6385-E3/73

品牌: 威世

封装: DO-201AA

完全替代

Diode TVS Single Bi-Dir 15V 1.5kW 2Pin Case 1.5KE Ammo

ICTE15C-E3/54和1N6385-E3/73的区别

型号: ICTE15C-E3/73

品牌: 威世

封装: DO-201

完全替代

ESD 抑制器/TVS 二极管 1.5KW 15V Bidirect

ICTE15C-E3/54和ICTE15C-E3/73的区别