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IPB60R380C6ATMA1

IPB60R380C6ATMA1

数据手册.pdf

INFINEON  IPB60R380C6ATMA1  功率场效应管, MOSFET, N沟道, 10.6 A, 600 V, 0.34 ohm, 10 V, 3 V

CoolMOS™C6/C7 功率 MOSFET


得捷:
MOSFET N-CH 600V 10.6A D2PAK


立创商城:
N沟道 600V 10.6A


欧时:
Infineon CoolMOS C6 系列 Si N沟道 MOSFET IPB60R380C6ATMA1, 10.6 A, Vds=650 V, 3引脚 D2PAK TO-263封装


e络盟:
晶体管, MOSFET, N沟道, 10.6 A, 600 V, 0.34 ohm, 10 V, 3 V


艾睿:
Trans MOSFET N-CH 600V 10.6A 3-Pin2+Tab D2PAK T/R


安富利:
Trans MOSFET N-CH 600V 10.6A 3-Pin2+Tab TO-263


Chip1Stop:
Trans MOSFET N-CH 600V 10.6A 3-Pin2+Tab D2PAK T/R


TME:
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 10.6A; 83W; PG-TO263-3


Verical:
Trans MOSFET N-CH 600V 10.6A 3-Pin2+Tab D2PAK T/R


Newark:
# INFINEON  IPB60R380C6ATMA1  Power MOSFET, N Channel, 10.6 A, 650 V, 0.34 ohm, 10 V, 3 V


IPB60R380C6ATMA1中文资料参数规格
技术参数

额定功率 83 W

针脚数 2

漏源极电阻 0.34 Ω

极性 N-Channel

耗散功率 83 W

阈值电压 3 V

漏源极电压Vds 600 V

连续漏极电流Ids 10.6A

上升时间 10 ns

输入电容Ciss 700pF @100VVds

下降时间 9 ns

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 83000 mW

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 3

封装 TO-263-3

外形尺寸

长度 10.31 mm

宽度 9.45 mm

高度 4.57 mm

封装 TO-263-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准

含铅标准 Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC

REACH SVHC版本 2015/12/17

IPB60R380C6ATMA1引脚图与封装图
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