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IPP120P04P4L03AKSA1

IPP120P04P4L03AKSA1

数据手册.pdf
Infineon(英飞凌) 分立器件

Infineon OptiMOS P 系列 Si P沟道 MOSFET IPP120P04P4L03AKSA1, 120 A, Vds=40 V, 3引脚 TO-220封装

OptiMOS™P P 通道功率 MOSFET

**Infineon** **OptiMOS**™ P 通道电源 MOSFET 设计用于提供增强功能,以便达到质量指标。 特征包括超低切换损耗、通态电阻、雪崩额定值以及达到汽车解决方案的 AEC 标准。 应用包括:直流-直流、电动机控制、汽车和 eMobility。

增强型模式

雪崩等级

低切换和传导功率损耗

无铅引线电镀;符合 RoHS 标准

标准封装

OptiMOS™ P 通道系列:温度范围为 -55°C 至 +175°C


欧时:
Infineon OptiMOS P 系列 Si P沟道 MOSFET IPP120P04P4L03AKSA1, 120 A, Vds=40 V, 3引脚 TO-220封装


得捷:
MOSFET P-CH 40V 120A TO220-3


立创商城:
P沟道 40V 120A


艾睿:
Trans MOSFET P-CH 40V 120A Automotive 3-Pin3+Tab TO-220 Tube


安富利:
Trans MOSFET P-CH 40V 120A 3-Pin3+Tab TO-220


Verical:
Trans MOSFET P-CH 40V 120A Automotive 3-Pin3+Tab TO-220 Tube


Win Source:
MOSFET P-CH 40V 120A TO220-3 / P-Channel 40 V 120A Tc 136W Tc Through Hole PG-TO220-3-1


IPP120P04P4L03AKSA1中文资料参数规格
技术参数

针脚数 3

漏源极电阻 0.0029 Ω

极性 P-CH

耗散功率 136 W

阈值电压 1.7 V

漏源极电压Vds 40 V

连续漏极电流Ids 120A

上升时间 16 ns

输入电容Ciss 15000pF @25VVds

下降时间 57 ns

工作温度Max 175 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 136W Tc

封装参数

安装方式 Through Hole

引脚数 3

封装 TO-220-3

外形尺寸

长度 10 mm

宽度 4.4 mm

高度 15.65 mm

封装 TO-220-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 175℃

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tube

制造应用 High-Side MOSFETs for motor bridges half-bridges, H-bridges, 3-phase-motors, Bridge configuration could be realized with 40V P-Channel as high side device with no need of charge pump

符合标准

RoHS标准

含铅标准 无铅

IPP120P04P4L03AKSA1引脚图与封装图
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