IXTY50N085T
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IXYS Semiconductor
分立器件
IXTY50N085T中文资料参数规格
技术参数
通道数 1
漏源极电阻 23 mΩ
耗散功率 130 W
漏源极电压Vds 85 V
漏源击穿电压 85 V
上升时间 32 ns
输入电容Ciss 1460pF @25VVds
下降时间 33 ns
工作温度Max 175 ℃
工作温度Min 55 ℃
耗散功率Max 130W Tc
封装参数
安装方式 Surface Mount
封装 TO-252-3
外形尺寸
长度 6.73 mm
宽度 6.22 mm
高度 2.38 mm
封装 TO-252-3
物理参数
工作温度 -55℃ ~ 175℃ TJ
其他
产品生命周期 Obsolete
包装方式 Tube
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
IXTY50N085T引脚图与封装图
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在线购买IXTY50N085T
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| IXTY50N085T | IXYS Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 85V 50A 3Pin2+Tab TO-252AA | 搜索库存 |
替代型号IXTY50N085T
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： IXTY50N085T 品牌： IXYS Semiconductor 封装： TO-252-3 | 当前型号 | Trans MOSFET N-CH 85V 50A 3Pin2+Tab TO-252AA | 当前型号 |
| 型号： IXTP55N075T 品牌： IXYS Semiconductor 封装： TO-220AB | 功能相似 | Trans MOSFET N-CH 75V 55A 3Pin3+Tab TO-220AB | IXTY50N085T和IXTP55N075T的区别 |
| 型号： IXTP50N085T 品牌： IXYS Semiconductor 封装： TO-220 | 功能相似 | Trans MOSFET N-CH 85V 50A 3Pin3+Tab TO-220 | IXTY50N085T和IXTP50N085T的区别 |