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IPP50R190CEXKSA1

IPP50R190CEXKSA1

数据手册.pdf
Infineon(英飞凌) 分立器件

Infineon CoolMOS™CE/CFD 功率 MOSFET### MOSFET 晶体管,InfineonInfineon 庞大且全面的 MOSFET 设备组合包括 OptiMOS™ 与 CoolMOS™ 系列。 这些产品提供最新一代最先进功率 MOSFET 中的顶级性能

CoolMOS™ CE 功率 MOSFET


欧时:
### Infineon CoolMOS™CE/CFD 功率 MOSFET### MOSFET 晶体管,InfineonInfineon 庞大且全面的 MOSFET 设备组合包括 OptiMOS™ 与 CoolMOS™ 系列。 这些产品提供最新一代最先进功率 MOSFET 中的顶级性能


得捷:
IPP50R190 - 500V, 0.19OHM, N-CHA


艾睿:
Trans MOSFET N-CH 500V 18.5A 3-Pin3+Tab TO-220 Tube


安富利:
Trans MOSFET N-CH 550V 18.5A 3-Pin TO-220 Tube


Chip1Stop:
A 500V COOLMOS CE POWER TRANSISTOR


TME:
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 18.5A; 127W; PG-TO220-3


Verical:
Trans MOSFET N-CH 500V 18.5A 3-Pin3+Tab TO-220 Tube


Newark:
# INFINEON  IPP50R190CEXKSA1  MOSFET Transistor, N Channel, 18.5 A, 500 V, 0.17 ohm, 13 V, 3 V


Win Source:
IPP50R190 - 500V, 0.19OHM, N-CHA / N-Channel 500 V 18.5A Tc 127W Tc Through Hole PG-TO220-3


IPP50R190CEXKSA1中文资料参数规格
技术参数

额定功率 127 W

针脚数 3

漏源极电阻 0.17 Ω

极性 N-Channel

耗散功率 127 W

阈值电压 3 V

漏源极电压Vds 500 V

连续漏极电流Ids 18.5A

上升时间 8.5 ns

输入电容Ciss 1137pF @100VVds

下降时间 7.5 ns

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 127 W

封装参数

安装方式 Through Hole

引脚数 3

封装 TO-220-3

外形尺寸

长度 10.36 mm

宽度 4.57 mm

高度 15.95 mm

封装 TO-220-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tube

制造应用 电源管理, Lighting, 照明, Computers & Computer Peripherals, Consumer Electronics, 消费电子产品, 计算机和计算机周边, Power Management

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC

REACH SVHC版本 2015/12/17

海关信息

ECCN代码 EAR99

IPP50R190CEXKSA1引脚图与封装图
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型号 制造商 描述 购买
IPP50R190CEXKSA1 Infineon 英飞凌 Infineon CoolMOS™CE/CFD 功率 MOSFET ### MOSFET 晶体管,Infineon Infineon 庞大且全面的 MOSFET 设备组合包括 OptiMOS™ 与 CoolMOS™ 系列。 这些产品提供最新一代最先进功率 MOSFET 中的顶级性能 搜索库存