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IRF8010STRLPBF

IRF8010STRLPBF

数据手册.pdf
International Rectifier 国际整流器 分立器件
IRF8010STRLPBF中文资料参数规格
技术参数

通道数 1

极性 N-Channel

耗散功率 260 W

产品系列 IRF8010S

漏源极电压Vds 100 V

连续漏极电流Ids 80.0 A

输入电容Ciss 3830pF @25VVds

额定功率Max 260 W

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 3

封装 TO-263-3

外形尺寸

封装 TO-263-3

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC

IRF8010STRLPBF引脚图与封装图
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型号 制造商 描述 购买
IRF8010STRLPBF International Rectifier 国际整流器 Single N-Channel 100V 15mOhm 120NC 260W Silicon SMT Mosfet - TO-263-3 搜索库存
替代型号IRF8010STRLPBF
图片 型号/品牌/封装 代替类型 描述 替代型号对比

型号: IRF8010STRLPBF

品牌: International Rectifier 国际整流器

封装: TO-263-3 N-Channel 100V 80A

当前型号

Single N-Channel 100V 15mOhm 120NC 260W Silicon SMT Mosfet - TO-263-3

当前型号

型号: STB80NF10T4

品牌: 意法半导体

封装: TO-263 N-Channel 100V 80A 15mohms

功能相似

STMICROELECTRONICS  STB80NF10T4  晶体管, MOSFET, N沟道, 40 A, 100 V, 0.012 ohm, 10 V, 3 V

IRF8010STRLPBF和STB80NF10T4的区别

型号: STB40NF10LT4

品牌: 意法半导体

封装: D2PAK N-Channel 100V 40A 30mΩ

功能相似

STMICROELECTRONICS  STB40NF10LT4  晶体管, MOSFET, N沟道, 40 A, 100 V, 0.028 ohm, 10 V, 1.7 V

IRF8010STRLPBF和STB40NF10LT4的区别

型号: STB40NF10T4

品牌: 意法半导体

封装: TO-263 N-Channel 100V 50A 24mΩ

功能相似

STMICROELECTRONICS  STB40NF10T4  晶体管, MOSFET, N沟道, 40 A, 100 V, 28 mohm, 10 V, 2.8 V

IRF8010STRLPBF和STB40NF10T4的区别