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IPP80N06S207AKSA1

IPP80N06S207AKSA1

数据手册.pdf
Infineon(英飞凌) 分立器件

Infineon OptiMOS 系列 Si N沟道 MOSFET IPP80N06S207AKSA1, 80 A, Vds=55 V, 3引脚 TO-220封装

OptiMOS™ 功率 MOSFET 系列

OptiMOS™ 产品提供高性能封装,可处理最具挑战性的应用,在有限空间提供全部灵活性。 这些 Infineon 产品经的设计符合并超过计算机应用中更严格的下一代电压调节标准的能效和功率密度要求。

N 通道 - 增强模式

符合汽车 AEC Q101 规格

MSL1 高达 260°C 峰值回流焊接

175°C 工作温度

绿色封装(无铅)

超低 Rdson


得捷:
MOSFET N-CH 55V 80A TO220-3


欧时:
Infineon OptiMOS 系列 Si N沟道 MOSFET IPP80N06S207AKSA1, 80 A, Vds=55 V, 3引脚 TO-220封装


艾睿:
Trans MOSFET N-CH 55V 80A Automotive 3-Pin3+Tab TO-220 Tube


IPP80N06S207AKSA1中文资料参数规格
技术参数

极性 N-CH

耗散功率 250W Tc

漏源极电压Vds 55 V

连续漏极电流Ids 80A

上升时间 35 ns

输入电容Ciss 3400pF @25VVds

下降时间 31 ns

工作温度Max 175 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 250W Tc

封装参数

安装方式 Through Hole

引脚数 3

封装 TO-220-3-1

外形尺寸

长度 10 mm

宽度 4.4 mm

高度 15.65 mm

封装 TO-220-3-1

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 175℃ TJ

其他

产品生命周期 Discontinued at Digi-Key

符合标准

RoHS标准

含铅标准 Lead Free

IPP80N06S207AKSA1引脚图与封装图
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型号 制造商 描述 购买
IPP80N06S207AKSA1 Infineon 英飞凌 Infineon OptiMOS 系列 Si N沟道 MOSFET IPP80N06S207AKSA1, 80 A, Vds=55 V, 3引脚 TO-220封装 搜索库存
替代型号IPP80N06S207AKSA1
图片 型号/品牌/封装 代替类型 描述 替代型号对比

型号: IPP80N06S207AKSA1

品牌: Infineon 英飞凌

封装: TO-220 N-CH 55V 80A

当前型号

Infineon OptiMOS 系列 Si N沟道 MOSFET IPP80N06S207AKSA1, 80 A, Vds=55 V, 3引脚 TO-220封装

当前型号

型号: IPP80N06S207AKSA4

品牌: 英飞凌

封装: TO-220-3 N-CH 55V 80A

功能相似

N沟道 55V 80A

IPP80N06S207AKSA1和IPP80N06S207AKSA4的区别