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IPA057N06N3GXKSA1

IPA057N06N3GXKSA1

数据手册.pdf
Infineon(英飞凌) 分立器件

Infineon OptiMOS 3 系列 Si N沟道 MOSFET IPA057N06N3GXKSA1, 60 A, Vds=60 V, 3引脚 TO-220FP封装

OptiMOS™3 功率 MOSFET,60 至 80V

OptiMOS™ 产品提供高性能封装,可处理最具挑战性的应用,在有限空间提供全部灵活性。 这些 Infineon 产品经的设计符合并超过计算机应用中更严格的下一代电压调节标准的能效和功率密度要求。

快速切换 MOSFET,用于 SMPS

优化技术,用于直流/直流转换器

符合目标应用的 JEDEC1 规格

N 通道,逻辑电平

极佳的栅极电荷 x R DSon 产品 FOM

极低导通电阻 R DSon

无铅电镀


欧时:
Infineon OptiMOS 3 系列 Si N沟道 MOSFET IPA057N06N3GXKSA1, 60 A, Vds=60 V, 3引脚 TO-220FP封装


得捷:
MOSFET N-CH 60V 60A TO220-3-31


立创商城:
N沟道 60V 60A


贸泽:
MOSFET N-Ch 60V 60A TO220FP-3 OptiMOS 3


e络盟:
晶体管, MOSFET, N沟道, 60 A, 60 V, 0.0046 ohm, 10 V, 3 V


艾睿:
Trans MOSFET N-CH 60V 60A 3-Pin3+Tab TO-220 Full-Pack Tube


安富利:
Trans MOSFET N-CH 60V 60A 3-Pin TO-220 Tube


TME:
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 60A; 38W; TO220FP


Verical:
Trans MOSFET N-CH 60V 60A 3-Pin3+Tab TO-220 Full-Pack Tube


Win Source:
MOSFET N-CH 60V 60A TO220-3-31 / N-Channel 60 V 60A Tc 38W Tc Through Hole PG-TO220-3-31


IPA057N06N3GXKSA1中文资料参数规格
技术参数

额定功率 38 W

针脚数 3

漏源极电阻 0.0046 Ω

极性 N-CH

耗散功率 38 W

阈值电压 3 V

漏源极电压Vds 60 V

连续漏极电流Ids 60A

上升时间 68 ns

输入电容Ciss 5000pF @30VVds

下降时间 9 ns

工作温度Max 175 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 38 W

封装参数

安装方式 Through Hole

引脚数 3

封装 TO-220-3

外形尺寸

长度 10.65 mm

宽度 4.85 mm

高度 16.15 mm

封装 TO-220-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 175℃

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Rail, Tube

制造应用 Synchronous rectification, Or-ing switches, Isolated DC-DC converters

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

IPA057N06N3GXKSA1引脚图与封装图
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IPA057N06N3GXKSA1 Infineon 英飞凌 Infineon OptiMOS 3 系列 Si N沟道 MOSFET IPA057N06N3GXKSA1, 60 A, Vds=60 V, 3引脚 TO-220FP封装 搜索库存