
极性 N-Channel
耗散功率 110 W
产品系列 IRF1018ES
漏源极电压Vds 60 V
输入电容Ciss 2290pF @50VVds
额定功率Max 110 W
安装方式 Surface Mount
引脚数 3
封装 TO-263-3
封装 TO-263-3
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
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IRF1018ESTRLPBF | International Rectifier 国际整流器 | Trans MOSFET N-CH 60V 79A 3Pin2+Tab D2PAK T/R | 搜索库存 |
图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
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型号: IRF1018ESTRLPBF 品牌: International Rectifier 国际整流器 封装: TO-252-3 N-Channel | 当前型号 | Trans MOSFET N-CH 60V 79A 3Pin2+Tab D2PAK T/R | 当前型号 | |
型号: STB140NF75T4 品牌: 意法半导体 封装: TO-252-3 N-Channel 75V 120A 7.5mΩ | 功能相似 | STB140NF75 系列 N 沟道 75 V 0.0075 Ω 160 nC STripFET™II MosFet - D2PAK | IRF1018ESTRLPBF和STB140NF75T4的区别 | |
型号: STB140NF55T4 品牌: 意法半导体 封装: TO-252-3 N-Channel 55V 80A 8mΩ | 功能相似 | STMICROELECTRONICS STB140NF55T4 晶体管, MOSFET, N沟道, 40 A, 55 V, 6.5 mohm, 10 V, 3 V | IRF1018ESTRLPBF和STB140NF55T4的区别 | |
型号: STB60N55F3 品牌: 意法半导体 封装: TO-263-3 N-Channel 55V 56A 8.5mΩ | 功能相似 | N 通道 STripFET™ F3,STMicroelectronicsSTripFET™ MOSFET,带宽击穿电压范围,可提供超低栅极电话和低接通电阻。### MOSFET 晶体管,STMicroelectronics | IRF1018ESTRLPBF和STB60N55F3的区别 |