IPD50R520CPBTMA1

Infineon(英飞凌) 分立器件

Infineon CoolMOS CP 系列 Si N沟道 MOSFET IPD50R520CPBTMA1, 7.1 A, Vds=550 V, 3引脚 DPAK TO-252封装

CoolMOS™CP 功率 MOSFET

欧时:
Infineon CoolMOS CP 系列 Si N沟道 MOSFET IPD50R520CPBTMA1, 7.1 A, Vds=550 V, 3引脚 DPAK TO-252封装

得捷:
LOW POWER_LEGACY

艾睿:
Trans MOSFET N-CH 500V 7.1A 3-Pin2+Tab DPAK T/R

TME:
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 7.1A; 66W; PG-TO252-3

Verical:
Trans MOSFET N-CH 500V 7.1A 3-Pin2+Tab DPAK T/R

IPD50R520CPBTMA1中文资料参数规格

技术参数

额定功率 66 W

极性 N-CH

耗散功率 66 W

漏源极电压Vds 500 V

连续漏极电流Ids 7.1A

上升时间 14 ns

输入电容Ciss 680pF @100VVds

下降时间 17 ns

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 66 W

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 3

封装 DPAK-252

外形尺寸

长度 6.73 mm

宽度 6.22 mm

高度 2.41 mm

封装 DPAK-252

其他

产品生命周期 Not Recommended for New Designs

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准

含铅标准 Lead Free

IPD50R520CPBTMA1引脚图与封装图

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