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IRFB4212PBF

IRFB4212PBF

数据手册.pdf
International Rectifier 国际整流器 分立器件

N沟道,100V,18A,72.5mΩ@10V

**Digital Audio MOSFET, Infineon**

Class D amplifiers are fast becoming the preferred solution for professional and home audio and video systems. Infineon offers a comprehensive range that simplify high-efficiency Class D amplifier design.


艾睿:
Trans MOSFET N-CH 100V 18A 3-Pin3+Tab TO-220AB Tube


Allied Electronics:
MOSFET, Power; N-Ch; VDSS 100V; RDSON 58Milliohms; ID 18A; TO-220AB; PD 60W; gFS 11S


Verical:
Trans MOSFET N-CH 100V 18A 3-Pin3+Tab TO-220AB Tube


IRFB4212PBF中文资料参数规格
技术参数

额定电压DC 100 V

额定电流 18.0 A

漏源极电阻 72.5 mΩ

极性 N-Channel

耗散功率 60 W

产品系列 IRFB4212

阈值电压 5 V

输入电容 550pF @50V

漏源极电压Vds 100 V

漏源击穿电压 100 V

连续漏极电流Ids 18.0 A

上升时间 28.0 ns

输入电容Ciss 550pF @50VVds

额定功率Max 60 W

工作温度Max 175 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 60 W

封装参数

安装方式 Through Hole

引脚数 3

封装 TO-220-3

外形尺寸

长度 10.66 mm

高度 16.51 mm

封装 TO-220-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 175℃

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Rail, Tube

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC

REACH SVHC版本 2014/12/17

IRFB4212PBF引脚图与封装图
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型号: IRFB4212PBF

品牌: International Rectifier 国际整流器

封装: TO-220-3 N-Channel 100V 18A

当前型号

N沟道,100V,18A,72.5mΩ@10V

当前型号

型号: STP30NF10

品牌: 意法半导体

封装: TO-220 N-Channel 100V 35A 38mΩ

功能相似

STMICROELECTRONICS  STP30NF10  晶体管, MOSFET, N沟道, 35 A, 100 V, 45 mohm, 10 V, 3 V

IRFB4212PBF和STP30NF10的区别

型号: STP24NF10

品牌: 意法半导体

封装: TO-220 N-Channel 100V 26A 55mΩ

功能相似

STMICROELECTRONICS  STP24NF10  晶体管, MOSFET, N沟道, 26 A, 100 V, 0.055 ohm, 10 V, 3 V

IRFB4212PBF和STP24NF10的区别

型号: STP35NF10

品牌: 意法半导体

封装: TO-220 N-Channel 100V 40A 35mΩ

功能相似

STMICROELECTRONICS  STP35NF10  晶体管, MOSFET, N沟道, 40 A, 100 V, 35 mohm, 10 V, 3 V

IRFB4212PBF和STP35NF10的区别