
额定电压DC 100 V
额定电流 18.0 A
漏源极电阻 72.5 mΩ
极性 N-Channel
耗散功率 60 W
产品系列 IRFB4212
阈值电压 5 V
输入电容 550pF @50V
漏源极电压Vds 100 V
漏源击穿电压 100 V
连续漏极电流Ids 18.0 A
上升时间 28.0 ns
输入电容Ciss 550pF @50VVds
额定功率Max 60 W
工作温度Max 175 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 60 W
安装方式 Through Hole
引脚数 3
封装 TO-220-3
长度 10.66 mm
高度 16.51 mm
封装 TO-220-3
工作温度 -55℃ ~ 175℃
产品生命周期 Active
包装方式 Rail, Tube
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC
REACH SVHC版本 2014/12/17
型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
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IRFB4212PBF | International Rectifier 国际整流器 | N沟道,100V,18A,72.5mΩ@10V | 搜索库存 |
图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
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型号: IRFB4212PBF 品牌: International Rectifier 国际整流器 封装: TO-220-3 N-Channel 100V 18A | 当前型号 | N沟道,100V,18A,72.5mΩ@10V | 当前型号 | |
型号: STP30NF10 品牌: 意法半导体 封装: TO-220 N-Channel 100V 35A 38mΩ | 功能相似 | STMICROELECTRONICS STP30NF10 晶体管, MOSFET, N沟道, 35 A, 100 V, 45 mohm, 10 V, 3 V | IRFB4212PBF和STP30NF10的区别 | |
型号: STP24NF10 品牌: 意法半导体 封装: TO-220 N-Channel 100V 26A 55mΩ | 功能相似 | STMICROELECTRONICS STP24NF10 晶体管, MOSFET, N沟道, 26 A, 100 V, 0.055 ohm, 10 V, 3 V | IRFB4212PBF和STP24NF10的区别 | |
型号: STP35NF10 品牌: 意法半导体 封装: TO-220 N-Channel 100V 40A 35mΩ | 功能相似 | STMICROELECTRONICS STP35NF10 晶体管, MOSFET, N沟道, 40 A, 100 V, 35 mohm, 10 V, 3 V | IRFB4212PBF和STP35NF10的区别 |