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IDB09E60ATMA1

IDB09E60ATMA1

数据手册.pdf
Infineon(英飞凌) 分立器件

Diode Switching 600V 19.3A 3Pin2+Tab TO-263

Diode Standard 600V 19.3A DC Surface Mount PG-TO263-3-2


得捷:
DIODE GEN PURP 600V 19.3A TO263


艾睿:
Diode Switching 600V 19.3A 3-Pin2+Tab TO-263 T/R


IDB09E60ATMA1中文资料参数规格
技术参数

正向电压 2V @9A

反向恢复时间 75 ns

正向电流Max 19.3 A

工作温度Max 175 ℃

工作温度Min -40 ℃

耗散功率Max 57700 mW

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 3

封装 TO-263-3

外形尺寸

封装 TO-263-3

其他

产品生命周期 Obsolete

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准

含铅标准 Lead Free

IDB09E60ATMA1引脚图与封装图
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IDB09E60ATMA1 Infineon 英飞凌 Diode Switching 600V 19.3A 3Pin2+Tab TO-263 搜索库存