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IPP90R1K2C3XKSA1

IPP90R1K2C3XKSA1

数据手册.pdf

INFINEON  IPP90R1K2C3XKSA1  功率场效应管, MOSFET, N沟道, 5.1 A, 900 V, 0.94 ohm, 10 V, 3 V

CoolMOS™C3 功率 MOSFET


得捷:
MOSFET N-CH 900V 5.1A TO220-3


欧时:
Infineon CoolMOS C3 系列 Si N沟道 MOSFET IPP90R1K2C3XKSA1, 5.1 A, Vds=900 V, 3引脚 TO-220封装


贸泽:
MOSFET LOW POWER_LEGACY


艾睿:
Trans MOSFET N-CH 900V 5.1A 3-Pin3+Tab TO-220 Tube


TME:
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 900V; 3.2A; 83W; PG-TO220-3


Verical:
Trans MOSFET N-CH 900V 5.1A 3-Pin3+Tab TO-220 Tube


Newark:
# INFINEON  IPP90R1K2C3XKSA1  Power MOSFET, N Channel, 5.1 A, 900 V, 0.94 ohm, 10 V, 3 V


IPP90R1K2C3XKSA1中文资料参数规格
技术参数

额定功率 83 W

针脚数 3

漏源极电阻 0.94 Ω

极性 N-Channel

耗散功率 83 W

阈值电压 3 V

漏源极电压Vds 900 V

连续漏极电流Ids 5.1A

上升时间 20 ns

输入电容Ciss 710pF @100VVds

下降时间 40 ns

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 830000 mW

封装参数

安装方式 Through Hole

引脚数 3

封装 TO-220-3

外形尺寸

长度 10 mm

宽度 4.4 mm

高度 15.65 mm

封装 TO-220-3

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tube

制造应用 消费电子产品, 工业, Lighting, Communications & Networking, Industrial, Power Management, 通信与网络, 照明, Consumer Electronics, 电源管理

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC

REACH SVHC版本 2015/12/17

IPP90R1K2C3XKSA1引脚图与封装图
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在线购买IPP90R1K2C3XKSA1
型号 制造商 描述 购买
IPP90R1K2C3XKSA1 Infineon 英飞凌 INFINEON  IPP90R1K2C3XKSA1  功率场效应管, MOSFET, N沟道, 5.1 A, 900 V, 0.94 ohm, 10 V, 3 V 搜索库存
替代型号IPP90R1K2C3XKSA1
图片 型号/品牌/封装 代替类型 描述 替代型号对比

型号: IPP90R1K2C3XKSA1

品牌: Infineon 英飞凌

封装: TO-220 N-Channel 900V 5.1A

当前型号

INFINEON  IPP90R1K2C3XKSA1  功率场效应管, MOSFET, N沟道, 5.1 A, 900 V, 0.94 ohm, 10 V, 3 V

当前型号

型号: IPP90R1K2C3XKSA2

品牌: 英飞凌

封装:

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