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IPP60R600C6XKSA1

IPP60R600C6XKSA1

数据手册.pdf

INFINEON  IPP60R600C6XKSA1  功率场效应管, MOSFET, N沟道, 7.3 A, 600 V, 0.54 ohm, 10 V, 3 V

CoolMOS™C6/C7 功率 MOSFET


得捷:
MOSFET N-CH 600V 7.3A TO220-3


欧时:
Infineon CoolMOS C6 系列 Si N沟道 MOSFET IPP60R600C6XKSA1, 7.3 A, Vds=600 V, 3引脚 TO-220封装


e络盟:
INFINEON  IPP60R600C6XKSA1  功率场效应管, MOSFET, N沟道, 7.3 A, 600 V, 0.54 ohm, 10 V, 3 V


艾睿:
Trans MOSFET N-CH 600V 7.3A 3-Pin3+Tab TO-220 Tube


TME:
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 7.3A; 63W; PG-TO220-3


Verical:
Trans MOSFET N-CH 600V 7.3A 3-Pin3+Tab TO-220 Tube


Newark:
# INFINEON  IPP60R600C6XKSA1  Power MOSFET, N Channel, 7.3 A, 650 V, 0.54 ohm, 10 V, 3 V


IPP60R600C6XKSA1中文资料参数规格
技术参数

额定功率 63 W

针脚数 3

漏源极电阻 0.54 Ω

极性 N-Channel

耗散功率 63 W

阈值电压 3 V

漏源极电压Vds 600 V

连续漏极电流Ids 7.3A

上升时间 9 ns

输入电容Ciss 440pF @100VVds

下降时间 13 ns

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 63 W

封装参数

安装方式 Through Hole

引脚数 3

封装 TO-220

外形尺寸

长度 10.36 mm

宽度 4.57 mm

高度 15.95 mm

封装 TO-220

其他

产品生命周期 Not Recommended for New Designs

包装方式 Tube

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC

REACH SVHC版本 2015/12/17

IPP60R600C6XKSA1引脚图与封装图
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