IRLS640A
数据手册.pdf
Fairchild
飞兆/仙童
分立器件
IRLS640A中文资料参数规格
技术参数
额定电压DC 200 V
额定电流 9.80 A
通道数 1
漏源极电阻 180 mΩ
极性 N-Channel
耗散功率 40 W
漏源极电压Vds 200 V
漏源击穿电压 200 V
栅源击穿电压 ±20.0 V
连续漏极电流Ids 9.80 A
上升时间 8 ns
输入电容Ciss 1705pF @25VVds
下降时间 15 ns
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 40W Tc
封装参数
安装方式 Through Hole
引脚数 3
封装 TO-220-3
外形尺寸
长度 10.36 mm
宽度 4.9 mm
高度 15.87 mm
封装 TO-220-3
物理参数
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
其他
产品生命周期 Active
包装方式 Tube
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
海关信息
ECCN代码 EAR99
IRLS640A引脚图与封装图
暂无图片
替代型号IRLS640A
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： IRLS640A 品牌： Fairchild 飞兆/仙童 封装： TO-220-3 N-Channel 200V 9.8A 180mohms | 当前型号 | 先进的功率MOSFET Advanced Power MOSFET | 当前型号 |
| 型号： IRFI640GPBF 品牌： 威世 封装： TO-220-3 N-Channel 200V 9.8A 180mΩ | 功能相似 | 功率MOSFET Power MOSFET | IRLS640A和IRFI640GPBF的区别 |