锐单电子商城 ， 一站式电子元器件采购平台！

  • 电话：400-990-0325

购物车
IPB144N12N3GATMA1

IPB144N12N3GATMA1

数据手册.pdf
Infineon(英飞凌) 分立器件

INFINEON  IPB144N12N3GATMA1  晶体管, MOSFET, N沟道, 41 A, 120 V, 0.0123 ohm, 10 V, 3 V

OptiMOS™3 功率 MOSFET，100V 及以上


得捷:
MOSFET N-CH 120V 56A D2PAK


立创商城:
N沟道 120V 56A


欧时:
Infineon OptiMOS 3 系列 Si N沟道 MOSFET IPB144N12N3GATMA1, 56 A, Vds=120 V, 3引脚 D2PAK TO-263封装


贸泽:
MOSFET N-Ch 120V 56A D2PAK-2 OptiMOS 3


e络盟:
晶体管, MOSFET, N沟道, 41 A, 120 V, 0.0123 ohm, 10 V, 3 V


艾睿:
Trans MOSFET N-CH 120V 56A Automotive 3-Pin2+Tab D2PAK T/R


TME:
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 120V; 56A; 107W; PG-TO263-3


Verical:
Trans MOSFET N-CH 120V 56A Automotive 3-Pin2+Tab D2PAK T/R


Newark:
# INFINEON  IPB144N12N3GATMA1  MOSFET Transistor, N Channel, 41 A, 120 V, 0.0123 ohm, 10 V, 3 V


IPB144N12N3GATMA1中文资料参数规格
技术参数

额定功率 107 W

通道数 1

针脚数 3

漏源极电阻 0.0123 Ω

极性 N-Channel

耗散功率 107 W

阈值电压 3 V

漏源极电压Vds 120 V

漏源击穿电压 120 V

连续漏极电流Ids 56A

上升时间 9 ns

输入电容Ciss 2420pF @60VVds

下降时间 4 ns

工作温度Max 175 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 107000 mW

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 3

封装 TO-263-3

外形尺寸

长度 10 mm

宽度 9.25 mm

高度 4.4 mm

封装 TO-263-3

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

制造应用 发光二极管照明, Or-ing switches and circuit breakers in 48V systems, |Isolated DC-DC converters telecom and datacom systems, LED Lighting, 便携式器材, 电源管理, Computers & Computer Peripherals, Power Management, Motor Drive & Control, Synchronous rectification for AC-DC SMPS, 电机驱动与控制, Portable Devices, 计算机和计算机周边

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC

REACH SVHC版本 2015/12/17

IPB144N12N3GATMA1引脚图与封装图
暂无图片
在线购买IPB144N12N3GATMA1
型号 制造商 描述 购买
IPB144N12N3GATMA1 Infineon 英飞凌 INFINEON  IPB144N12N3GATMA1  晶体管, MOSFET, N沟道, 41 A, 120 V, 0.0123 ohm, 10 V, 3 V 搜索库存