IRF7831TRPBF
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International Rectifier
国际整流器
分立器件
IRF7831TRPBF中文资料参数规格
技术参数
额定电压DC 30.0 V
额定电流 21.0 A
漏源极电阻 4.4 mΩ
极性 N-Channel
耗散功率 2.5 W
产品系列 IRF7831
输入电容 6240pF @15V
漏源极电压Vds 30 V
漏源击穿电压 30.0 V
连续漏极电流Ids 21.0 A
上升时间 10.0 ns
输入电容Ciss 6240pF @15VVds
额定功率Max 2.5 W
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
封装参数
安装方式 Surface Mount
引脚数 8
封装 SOIC-8
外形尺寸
长度 5 mm
高度 1.5 mm
封装 SOIC-8
物理参数
工作温度 -55℃ ~ 150℃
其他
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
IRF7831TRPBF引脚图与封装图
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在线购买IRF7831TRPBF
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| IRF7831TRPBF | International Rectifier 国际整流器 | Trans MOSFET N-CH 30V 21A 8Pin SOIC T/R | 搜索库存 |
替代型号IRF7831TRPBF
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： IRF7831TRPBF 品牌： International Rectifier 国际整流器 封装： SOIC N-Channel 30V 21A | 当前型号 | Trans MOSFET N-CH 30V 21A 8Pin SOIC T/R | 当前型号 |
| 型号： BSO033N03MS G 品牌： 英飞凌 封装： DSO-8 N-Channel | 功能相似 | INFINEON BSO033N03MS G 晶体管, MOSFET, N沟道, 17 A, 30 V, 0.0028 ohm, 10 V, 1 V | IRF7831TRPBF和BSO033N03MS G的区别 |