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IPD90N06S4L03ATMA2

IPD90N06S4L03ATMA2

数据手册.pdf
Infineon(英飞凌) 分立器件

晶体管, MOSFET, N沟道, 90 A, 60 V, 0.0027 ohm, 10 V, 1.7 V

Summary of Features:

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N-channel - Enhancement mode
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Automotive AEC Q101 qualified
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MSL1 up to 260°C peak reflow
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175°C operating temperature
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Green product RoHS compliant
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100% Avalanche tested
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Ultra low RDSon

Benefits:

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world"s lowest RDS at 60V on 
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highest current capability
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lowest switching and conduction power losses for highest thermal efficiency
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robust packages with superior quality and reliability
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Optimized total gate charge enables smaller driver output stages
IPD90N06S4L03ATMA2中文资料参数规格
技术参数

针脚数 3

漏源极电阻 0.0027 Ω

极性 N-CH

耗散功率 150 W

阈值电压 1.7 V

漏源极电压Vds 60 V

连续漏极电流Ids 90A

上升时间 6 ns

输入电容Ciss 10000pF @25VVds

下降时间 20 ns

工作温度Max 175 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 150000 mW

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 3

封装 TO-252-3

外形尺寸

封装 TO-252-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 175℃

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

制造应用 Lighting, Valves control, Single-ended motors, Solenoids control

符合标准

RoHS标准

含铅标准 无铅

IPD90N06S4L03ATMA2引脚图与封装图
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型号 制造商 描述 购买
IPD90N06S4L03ATMA2 Infineon 英飞凌 晶体管, MOSFET, N沟道, 90 A, 60 V, 0.0027 ohm, 10 V, 1.7 V 搜索库存
替代型号IPD90N06S4L03ATMA2
图片 型号/品牌/封装 代替类型 描述 替代型号对比

型号: IPD90N06S4L03ATMA2

品牌: Infineon 英飞凌

封装: TO-252-3 N-CH 60V 90A

当前型号

晶体管, MOSFET, N沟道, 90 A, 60 V, 0.0027 ohm, 10 V, 1.7 V

当前型号

型号: IPD90N06S4L03ATMA1

品牌: 英飞凌

封装: TO-252-3 N-CH 60V 90A

类似代替

DPAK N-CH 60V 90A

IPD90N06S4L03ATMA2和IPD90N06S4L03ATMA1的区别