IPD90P03P4L04ATMA1
数据手册.pdfINFINEON IPD90P03P4L04ATMA1 晶体管, MOSFET, P沟道, -90 A, -30 V, 0.0033 ohm, -10 V, -1.5 V
OptiMOS™P P 通道功率 MOSFET
**Infineon** **OptiMOS**™ P 通道电源 MOSFET 设计用于提供增强功能，以便达到质量指标。 特征包括超低切换损耗、通态电阻、雪崩额定值以及达到汽车解决方案的 AEC 标准。 应用包括：直流-直流、电动机控制、汽车和 eMobility。
增强型模式
雪崩等级
低切换和传导功率损耗
无铅引线电镀；符合 RoHS 标准
标准封装
OptiMOS™ P 通道系列：温度范围为 -55°C 至 +175°C
得捷:
MOSFET P-CH 30V 90A TO252-3
欧时:
Infineon OptiMOS P 系列 Si P沟道 MOSFET IPD90P03P4L04ATMA1, 90 A, Vds=30 V, 3引脚 DPAK TO-252封装
立创商城:
P沟道 30V 90A
艾睿:
Trans MOSFET P-CH 30V 90A Automotive 3-Pin2+Tab DPAK T/R
Verical:
Trans MOSFET P-CH 30V 90A Automotive 3-Pin2+Tab DPAK T/R
Newark:
MOSFET Transistor, P Channel, -90 A, -30 V, 0.0033 ohm, -10 V, -1.5 V
Win Source:
MOSFET P-CH 30V 90A TO252-3 / P-Channel 30 V 90A Tc 137W Tc Surface Mount PG-TO252-3-11