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IRF640NSTRRPBF

IRF640NSTRRPBF

数据手册.pdf
International Rectifier 国际整流器 分立器件

Trans MOSFET N-CH 200V 18A 3Pin2+Tab D2PAK T/R

N-Channel 200V 18A Tc 150W Tc Surface Mount D2PAK


得捷:
IRF640 - HEXFET POWER MOSFET


艾睿:
Trans MOSFET N-CH 200V 18A 3-Pin2+Tab D2PAK T/R


Verical:
Trans MOSFET N-CH 200V 18A 3-Pin2+Tab D2PAK T/R


DeviceMart:
MOSFET N-CH 200V 18A D2PAK


IRF640NSTRRPBF中文资料参数规格
技术参数

额定电压DC 200 V

额定电流 18.0 A

极性 N-Channel

耗散功率 150 W

产品系列 IRF640NS

漏源极电压Vds 200 V

连续漏极电流Ids 110 A, 18.0 A

上升时间 19.0 ns

输入电容Ciss 1160pF @25VVds

额定功率Max 150 W

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 3

封装 TO-263-3

外形尺寸

封装 TO-263-3

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

IRF640NSTRRPBF引脚图与封装图
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在线购买IRF640NSTRRPBF
型号 制造商 描述 购买
IRF640NSTRRPBF International Rectifier 国际整流器 Trans MOSFET N-CH 200V 18A 3Pin2+Tab D2PAK T/R 搜索库存
替代型号IRF640NSTRRPBF
图片 型号/品牌/封装 代替类型 描述 替代型号对比

型号: IRF640NSTRRPBF

品牌: International Rectifier 国际整流器

封装: TO-263-3 N-Channel 200V 110A

当前型号

Trans MOSFET N-CH 200V 18A 3Pin2+Tab D2PAK T/R

当前型号

型号: STB19NF20

品牌: 意法半导体

封装: TO-263-3

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型号: IRF640STRRPBF

品牌: 威世

封装: TO-263(D2Pak N-Channel 200V 18A 180mΩ

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