IRLR3636TRPBF
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International Rectifier
国际整流器
分立器件
IRLR3636TRPBF中文资料参数规格
技术参数
极性 N-Channel
耗散功率 143 W
漏源极电压Vds 60 V
输入电容Ciss 3779pF @50VVds
额定功率Max 143 W
封装参数
引脚数 3
封装 TO-252-3
外形尺寸
封装 TO-252-3
其他
产品生命周期 Unknown
包装方式 Tape & Reel TR
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
IRLR3636TRPBF引脚图与封装图
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在线购买IRLR3636TRPBF
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| IRLR3636TRPBF | International Rectifier 国际整流器 | N沟道,60V,99A,8.3mΩ@4.5V | 搜索库存 |
替代型号IRLR3636TRPBF
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： IRLR3636TRPBF 品牌： International Rectifier 国际整流器 封装： TO-252-3 N-Channel | 当前型号 | N沟道,60V,99A,8.3mΩ@4.5V | 当前型号 |
| 型号： STD60N55F3 品牌： 意法半导体 封装： TO-252-3 N-CH 55V 80A | 功能相似 | N 通道 STripFET™ F3，STMicroelectronicsSTripFET™ MOSFET，带宽击穿电压范围，可提供超低栅极电话和低接通电阻。### MOSFET 晶体管，STMicroelectronics | IRLR3636TRPBF和STD60N55F3的区别 |
| 型号： SUD50N06-07L-E3 品牌： 威世 封装： TO-252-3 | 功能相似 | N通道60 -V （D -S ） ， 175℃ MOSFET N-Channel 60-V D-S, 175 C MOSFET | IRLR3636TRPBF和SUD50N06-07L-E3的区别 |