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IRF5305STRLPBF

IRF5305STRLPBF

数据手册.pdf
International Rectifier 国际整流器 分立器件

P沟道,-55V,-31A,60mΩ@-10V

**HEXFET® P-Channel Power MOSFETs, Infineon**

HEXFET® Power MOSFETs present a variety of rugged single P-channel devices for AC-DC and DC-DC power supplies to audio and consumer electronics, motor control and lighting and home appliances.


艾睿:
Trans MOSFET P-CH 55V 31A 3-Pin2+Tab D2PAK T/R


Verical:
Trans MOSFET P-CH 55V 31A 3-Pin2+Tab D2PAK T/R


DeviceMart:
MOSFET P-CH 55V 31A D2PAK


IRF5305STRLPBF中文资料参数规格
技术参数

额定电压DC -55.0 V

额定电流 -31.0 A

漏源极电阻 0.06 Ω

极性 P-Channel

耗散功率 3.8 W

产品系列 IRF5305S

漏源极电压Vds 55 V

连续漏极电流Ids -31.0 A, 310 mA

上升时间 66.0 ns

输入电容Ciss 1200pF @25VVds

额定功率Max 3.8 W

工作温度Max 175 ℃

工作温度Min -55 ℃

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 3

封装 TO-263-3

外形尺寸

长度 10.67 mm

高度 4.83 mm

封装 TO-263-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 175℃

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

IRF5305STRLPBF引脚图与封装图
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