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IRFR1018EPBF

IRFR1018EPBF

数据手册.pdf
International Rectifier 国际整流器 分立器件

Trans MOSFET N-CH 60V 79A 3Pin2+Tab DPAK Tube

N-Channel 60V 56A Tc 110W Tc Surface Mount D-PAK TO-252AA


得捷:
MOSFET N-CH 60V 56A DPAK


艾睿:
Trans MOSFET N-CH 60V 79A 3-Pin2+Tab DPAK Tube


Verical:
Trans MOSFET N-CH 60V 79A 3-Pin2+Tab DPAK Tube


DeviceMart:
MOSFET N-CH 60V 79A DPAK


IRFR1018EPBF中文资料参数规格
技术参数

漏源极电阻 7.1 mΩ

极性 N-Channel

耗散功率 110 W

产品系列 IRFR1018E

阈值电压 4 V

漏源极电压Vds 60 V

连续漏极电流Ids 79.0 A

输入电容Ciss 2290pF @50VVds

额定功率Max 110 W

工作温度Max 175 ℃

工作温度Min -55 ℃

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 3

封装 TO-252-3

外形尺寸

封装 TO-252-3

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tube

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC

REACH SVHC版本 2014/12/17

IRFR1018EPBF引脚图与封装图
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替代型号IRFR1018EPBF
图片 型号/品牌/封装 代替类型 描述 替代型号对比

型号: IRFR1018EPBF

品牌: International Rectifier 国际整流器

封装: TO-252-3 N-Channel 60V 79A

当前型号

Trans MOSFET N-CH 60V 79A 3Pin2+Tab DPAK Tube

当前型号

型号: STD70N6F3

品牌: 意法半导体

封装: TO-252-3

功能相似

STD70N6F3 系列 60 V 10.5 mOhm N 沟道 STripFET™ III 功率 MOSFET - TO-252

IRFR1018EPBF和STD70N6F3的区别

型号: STD60N55F3

品牌: 意法半导体

封装: TO-252-3 N-CH 55V 80A

功能相似

N 通道 STripFET™ F3,STMicroelectronicsSTripFET™ MOSFET,带宽击穿电压范围,可提供超低栅极电话和低接通电阻。### MOSFET 晶体管,STMicroelectronics

IRFR1018EPBF和STD60N55F3的区别