IKD04N60RAATMA1

Infineon(英飞凌) 分立器件

IGBT 晶体管 IGBT PRODUCTS

IGBT Trench 600V 8A 75W Surface Mount PG-TO252-3

得捷:
IGBT TRENCH 600V 8A TO252-3

贸泽:
IGBT 晶体管 IGBT PRODUCTS

艾睿:
Trans IGBT Chip N-CH 600V 8A 75000mW Automotive 3-Pin2+Tab DPAK T/R

安富利:
Trans IGBT Chip N-CH 600V 8A 3-Pin TO-252 T/R

IKD04N60RAATMA1中文资料参数规格

技术参数

耗散功率 75 W

击穿电压集电极-发射极 600 V

反向恢复时间 43 ns

额定功率Max 75 W

工作温度Max 175 ℃

工作温度Min -40 ℃

耗散功率Max 75000 mW

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 3

封装 TO-252-3

外形尺寸

封装 TO-252-3

物理参数

工作温度 -40℃ ~ 175℃ TJ

其他

产品生命周期 Not For New Designs

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

海关信息

ECCN代码 EAR99

IKD04N60RAATMA1引脚图与封装图

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