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IRF1010NSPBF

IRF1010NSPBF

数据手册.pdf
International Rectifier 国际整流器 分立器件
IRF1010NSPBF中文资料参数规格
技术参数

额定电压DC 55.0 V

额定电流 85.0 A

极性 N-Channel

耗散功率 180 W

产品系列 IRF1010NS

漏源极电压Vds 55 V

漏源击穿电压 55.0 V

连续漏极电流Ids 85.0 A

上升时间 76.0 ns

输入电容Ciss 3210pF @25VVds

额定功率Max 180 W

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 3

封装 TO-252-3

外形尺寸

封装 TO-252-3

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tube

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC

IRF1010NSPBF引脚图与封装图
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型号 制造商 描述 购买
IRF1010NSPBF International Rectifier 国际整流器 Trans MOSFET N-CH 55V 85A 3Pin2+Tab D2PAK Tube 搜索库存
替代型号IRF1010NSPBF
图片 型号/品牌/封装 代替类型 描述 替代型号对比

型号: IRF1010NSPBF

品牌: International Rectifier 国际整流器

封装: TO-252-3 N-Channel 55V 85A

当前型号

Trans MOSFET N-CH 55V 85A 3Pin2+Tab D2PAK Tube

当前型号

型号: STB60NF06LT4

品牌: 意法半导体

封装: D2PAK N-Channel 60V 60A 14mΩ

功能相似

STMICROELECTRONICS  STB60NF06LT4  晶体管, MOSFET, N沟道, 60 A, 60 V, 16 mohm, 5 V, 1 V

IRF1010NSPBF和STB60NF06LT4的区别

型号: STB140NF55T4

品牌: 意法半导体

封装: TO-252-3 N-Channel 55V 80A 8mΩ

功能相似

STMICROELECTRONICS  STB140NF55T4  晶体管, MOSFET, N沟道, 40 A, 55 V, 6.5 mohm, 10 V, 3 V

IRF1010NSPBF和STB140NF55T4的区别

型号: STB60NF06T4

品牌: 意法半导体

封装: TO-252-3 N-Channel 60V 60A 15mΩ

功能相似

N沟道60V - 0.014ヘ - 60A - D2PAK / I2PAK STripFET⑩ II功率MOSFET N-channel 60V - 0.014ヘ - 60A - D2PAK/I2PAK STripFET⑩ II Power MOSFET

IRF1010NSPBF和STB60NF06T4的区别