IPD60R750E6BTMA1
数据手册.pdfInfineon(英飞凌)
分立器件
极性 N-CH
漏源极电压Vds 600 V
连续漏极电流Ids 5.7A
输入电容Ciss 373pF @100VVds
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 48 W
安装方式 Surface Mount
引脚数 3
封装 TO-252
长度 6.73 mm
宽度 6.22 mm
高度 2.41 mm
封装 TO-252
产品生命周期 Discontinued at Digi-Key
RoHS标准
含铅标准 Lead Free
型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
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IPD60R750E6BTMA1 | Infineon 英飞凌 | Infineon CoolMOS E6 系列 Si N沟道 MOSFET IPD60R750E6BTMA1, 5.7 A, Vds=600 V, 3引脚 DPAK TO-252封装 | 搜索库存 |