IPD50R280CEBTMA1

Infineon(英飞凌) 分立器件

Infineon CoolMOS CE 系列 Si N沟道 MOSFET IPD50R280CEBTMA1, 13 A, Vds=550 V, 3引脚 DPAK TO-252封装

CoolMOS™ CE 功率 MOSFET

欧时:
Infineon CoolMOS CE 系列 Si N沟道 MOSFET IPD50R280CEBTMA1, 13 A, Vds=550 V, 3引脚 DPAK TO-252封装

得捷:
MOSFET N-CH 500V 13A TO252-3

艾睿:
Trans MOSFET N-CH 550V 13A 3-Pin2+Tab DPAK T/R

安富利:
Trans MOSFET N-CH 550V 13A 3-Pin TO-252 T/R

Verical:
Trans MOSFET N-CH 550V 13A 3-Pin2+Tab DPAK T/R

IPD50R280CEBTMA1中文资料参数规格

技术参数

极性 N-CH

耗散功率 119 W

漏源极电压Vds 500 V

连续漏极电流Ids 13A

上升时间 6.4 ns

输入电容Ciss 773pF @100VVds

下降时间 7.6 ns

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 92 W

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 3

封装 TO-252-3

外形尺寸

长度 6.73 mm

宽度 6.22 mm

高度 2.41 mm

封装 TO-252-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Discontinued at Digi-Key

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准无铅

IPD50R280CEBTMA1引脚图与封装图

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