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IRFR3411PBF

IRFR3411PBF

数据手册.pdf
International Rectifier 国际整流器 分立器件

MOSFET, Power; N-Ch; VDSS 100V; RDSON 36Milliohms; ID 32A; D-Pak TO-252AA; -55deg

**N-Channel Power MOSFET 30A to 39A, Infineon**

The Infineon range of diskrete HEXFET® power MOSFETs includes N-channel devices in surface mount and leaded packages. And form factors that can address almost any board layout and thermal design challenge. Across the range benchmark on resistance drives down conduction losses, allowing designers to deliver optimum system efficiency.


得捷:
MOSFET N-CH 100V 32A DPAK


艾睿:
Trans MOSFET N-CH 100V 32A 3-Pin2+Tab DPAK Tube


Verical:
Trans MOSFET N-CH 100V 32A 3-Pin2+Tab DPAK Tube


IRFR3411PBF中文资料参数规格
技术参数

额定电压DC 100 V

额定电流 32.0 A

漏源极电阻 44 mΩ

极性 N-Channel

耗散功率 130 W

产品系列 IRFR3411

输入电容 1960pF @25V

漏源极电压Vds 100 V

漏源击穿电压 100 V

连续漏极电流Ids 32.0 A

上升时间 35.0 ns

输入电容Ciss 1960pF @25VVds

额定功率Max 130 W

工作温度Max 175 ℃

工作温度Min -55 ℃

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 3

封装 TO-252-3

外形尺寸

长度 6.73 mm

高度 2.26 mm

封装 TO-252-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 175℃

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Rail, Tube

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC

海关信息

ECCN代码 EAR99

IRFR3411PBF引脚图与封装图
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型号 制造商 描述 购买
IRFR3411PBF International Rectifier 国际整流器 MOSFET, Power; N-Ch; VDSS 100V; RDSON 36Milliohms; ID 32A; D-Pak TO-252AA; -55deg 搜索库存
替代型号IRFR3411PBF
图片 型号/品牌/封装 代替类型 描述 替代型号对比

型号: IRFR3411PBF

品牌: International Rectifier 国际整流器

封装: TO-252 N-Channel 100V 32A

当前型号

MOSFET, Power; N-Ch; VDSS 100V; RDSON 36Milliohms; ID 32A; D-Pak TO-252AA; -55deg

当前型号

型号: STD15NF10T4

品牌: 意法半导体

封装: TO-252 N-Channel 100V 23A 65mohms

功能相似

STMICROELECTRONICS  STD15NF10T4  晶体管, MOSFET, N沟道, 23 A, 100 V, 65 mohm, 10 V, 3 V

IRFR3411PBF和STD15NF10T4的区别

型号: STD25NF10LT4

品牌: 意法半导体

封装: TO-252 N-Channel 100V 25A 30mΩ

功能相似

N 通道 STripFET™ II,STMicroelectronicsSTripFET™ MOSFET,带宽击穿电压范围,可提供超低栅极电话和低接通电阻。### MOSFET 晶体管,STMicroelectronics

IRFR3411PBF和STD25NF10LT4的区别

型号: STD25NF10T4

品牌: 意法半导体

封装: TO-252 N-Channel 100V 12.5A 33mohms

功能相似

STMICROELECTRONICS  STD25NF10T4  晶体管, MOSFET, N沟道, 12.5 A, 100 V, 33 mohm, 10 V, 3 V

IRFR3411PBF和STD25NF10T4的区别