IPD60R600E6BTMA1
数据手册.pdf
Infineon
英飞凌
分立器件
通道数 1
极性 N-CH
耗散功率 63 W
漏源极电压Vds 650 V
漏源击穿电压 600 V
连续漏极电流Ids 7.3A
输入电容Ciss 440pF @100VVds
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 63 W
安装方式 Surface Mount
引脚数 3
封装 TO-252-3
长度 6.5 mm
宽度 6.22 mm
高度 2.3 mm
封装 TO-252-3
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
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IPD60R600E6BTMA1 | Infineon 英飞凌 | Infineon CoolMOS E6 系列 Si N沟道 MOSFET IPD60R600E6BTMA1, 7.3 A, Vds=650 V, 3引脚 DPAK TO-252封装 | 搜索库存 |