通道数 1
极性 N-Channel
耗散功率 110 W
产品系列 IRFR1018E
漏源极电压Vds 60 V
连续漏极电流Ids 79.0 mA
输入电容Ciss 2290pF @50VVds
额定功率Max 110 W
引脚数 3
封装 TO-252-3
宽度 6.22 mm
封装 TO-252-3
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
---|---|---|---|
IRFR1018ETRPBF | International Rectifier 国际整流器 | Trans MOSFET N-CH 60V 79A 3Pin2+Tab DPAK T/R | 搜索库存 |
图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
---|---|---|---|---|
型号: IRFR1018ETRPBF 品牌: International Rectifier 国际整流器 封装: TO-252-3 N-Channel 60V 79mA | 当前型号 | Trans MOSFET N-CH 60V 79A 3Pin2+Tab DPAK T/R | 当前型号 | |
型号: STD70N6F3 品牌: 意法半导体 封装: TO-252-3 | 功能相似 | STD70N6F3 系列 60 V 10.5 mOhm N 沟道 STripFET™ III 功率 MOSFET - TO-252 | IRFR1018ETRPBF和STD70N6F3的区别 | |
型号: STD60N55F3 品牌: 意法半导体 封装: TO-252-3 N-CH 55V 80A | 功能相似 | N 通道 STripFET™ F3,STMicroelectronicsSTripFET™ MOSFET,带宽击穿电压范围,可提供超低栅极电话和低接通电阻。### MOSFET 晶体管,STMicroelectronics | IRFR1018ETRPBF和STD60N55F3的区别 |