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IRFR1018ETRPBF

IRFR1018ETRPBF

数据手册.pdf
International Rectifier 国际整流器 分立器件
IRFR1018ETRPBF中文资料参数规格
技术参数

通道数 1

极性 N-Channel

耗散功率 110 W

产品系列 IRFR1018E

漏源极电压Vds 60 V

连续漏极电流Ids 79.0 mA

输入电容Ciss 2290pF @50VVds

额定功率Max 110 W

封装参数

引脚数 3

封装 TO-252-3

外形尺寸

宽度 6.22 mm

封装 TO-252-3

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

IRFR1018ETRPBF引脚图与封装图
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型号 制造商 描述 购买
IRFR1018ETRPBF International Rectifier 国际整流器 Trans MOSFET N-CH 60V 79A 3Pin2+Tab DPAK T/R 搜索库存
替代型号IRFR1018ETRPBF
图片 型号/品牌/封装 代替类型 描述 替代型号对比

型号: IRFR1018ETRPBF

品牌: International Rectifier 国际整流器

封装: TO-252-3 N-Channel 60V 79mA

当前型号

Trans MOSFET N-CH 60V 79A 3Pin2+Tab DPAK T/R

当前型号

型号: STD70N6F3

品牌: 意法半导体

封装: TO-252-3

功能相似

STD70N6F3 系列 60 V 10.5 mOhm N 沟道 STripFET™ III 功率 MOSFET - TO-252

IRFR1018ETRPBF和STD70N6F3的区别

型号: STD60N55F3

品牌: 意法半导体

封装: TO-252-3 N-CH 55V 80A

功能相似

N 通道 STripFET™ F3,STMicroelectronicsSTripFET™ MOSFET,带宽击穿电压范围,可提供超低栅极电话和低接通电阻。### MOSFET 晶体管,STMicroelectronics

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