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IRF3205PBF

IRF3205PBF

数据手册.pdf
International Rectifier 国际整流器 分立器件

N沟道,55V,110A,8mΩ@10V

**N-Channel Power MOSFET over 100A, Infineon**

The Infineon range of diskrete HEXFET® power MOSFETs includes N-channel devices in surface mount and leaded packages. And form factors that can address almost any board layout and thermal design challenge. Across the range benchmark on resistance drives down conduction losses, allowing designers to deliver optimum system efficiency.


得捷:
IRF3205 - 12V-300V N-CHANNEL POW


艾睿:
Trans MOSFET N-CH 55V 110A 3-Pin3+Tab TO-220AB Tube


Verical:
Trans MOSFET N-CH Si 55V 110A 3-Pin3+Tab TO-220AB Tube


IRF3205PBF中文资料参数规格
技术参数

额定电压DC 55.0 V

额定电流 110 A

漏源极电阻 8 mΩ

极性 N-Channel

耗散功率 200 W

产品系列 IRF3205

阈值电压 4 V

漏源极电压Vds 55 V

漏源击穿电压 55 V

栅源击穿电压 ±20.0 V

连续漏极电流Ids 110 A, 98.0 A

上升时间 101 ns

输入电容Ciss 3247pF @25VVds

额定功率Max 200 W

下降时间 65 ns

工作温度Max 175 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 200000 mW

封装参数

安装方式 Through Hole

引脚数 3

封装 TO-220-3

外形尺寸

长度 10.67 mm

高度 16.51 mm

封装 TO-220-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 175℃

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Rail, Tube

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC

REACH SVHC版本 2014/12/17

IRF3205PBF引脚图与封装图
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IRF3205PBF International Rectifier 国际整流器 N沟道,55V,110A,8mΩ@10V 搜索库存
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型号: IRF3205PBF

品牌: International Rectifier 国际整流器

封装: TO-220 N-Channel 55V 110A 8mohms

当前型号

N沟道,55V,110A,8mΩ@10V

当前型号

型号: STP60NF06L

品牌: 意法半导体

封装: TO-220 N-Channel 60V 60A 14mΩ

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N 通道 STripFET™ II,STMicroelectronicsSTripFET™ MOSFET,带宽击穿电压范围,可提供超低栅极电话和低接通电阻。### MOSFET 晶体管,STMicroelectronics

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型号: STP80NF55L-06

品牌: 意法半导体

封装: TO-220 N-Channel 55V 80A 6.5mΩ

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型号: STP80NF55-08

品牌: 意法半导体

封装: TO-220 N-Channel 55V 80A 8mΩ

功能相似

STMICROELECTRONICS  STP80NF55-08  晶体管, MOSFET, N沟道, 80 A, 55 V, 8 mohm, 10 V, 3 V

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