额定电压DC 55.0 V
额定电流 110 A
漏源极电阻 8 mΩ
极性 N-Channel
耗散功率 200 W
产品系列 IRF3205
阈值电压 4 V
漏源极电压Vds 55 V
漏源击穿电压 55 V
栅源击穿电压 ±20.0 V
连续漏极电流Ids 110 A, 98.0 A
上升时间 101 ns
输入电容Ciss 3247pF @25VVds
额定功率Max 200 W
下降时间 65 ns
工作温度Max 175 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 200000 mW
安装方式 Through Hole
引脚数 3
封装 TO-220-3
长度 10.67 mm
高度 16.51 mm
封装 TO-220-3
工作温度 -55℃ ~ 175℃
产品生命周期 Active
包装方式 Rail, Tube
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC
REACH SVHC版本 2014/12/17
型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
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IRF3205PBF | International Rectifier 国际整流器 | N沟道,55V,110A,8mΩ@10V | 搜索库存 |
图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
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型号: IRF3205PBF 品牌: International Rectifier 国际整流器 封装: TO-220 N-Channel 55V 110A 8mohms | 当前型号 | N沟道,55V,110A,8mΩ@10V | 当前型号 | |
型号: STP60NF06L 品牌: 意法半导体 封装: TO-220 N-Channel 60V 60A 14mΩ | 功能相似 | N 通道 STripFET™ II,STMicroelectronicsSTripFET™ MOSFET,带宽击穿电压范围,可提供超低栅极电话和低接通电阻。### MOSFET 晶体管,STMicroelectronics | IRF3205PBF和STP60NF06L的区别 | |
型号: STP80NF55L-06 品牌: 意法半导体 封装: TO-220 N-Channel 55V 80A 6.5mΩ | 功能相似 | STMICROELECTRONICS STP80NF55L-06 晶体管, MOSFET, N沟道, 80 A, 55 V, 8 mohm, 10 V, 3 V | IRF3205PBF和STP80NF55L-06的区别 | |
型号: STP80NF55-08 品牌: 意法半导体 封装: TO-220 N-Channel 55V 80A 8mΩ | 功能相似 | STMICROELECTRONICS STP80NF55-08 晶体管, MOSFET, N沟道, 80 A, 55 V, 8 mohm, 10 V, 3 V | IRF3205PBF和STP80NF55-08的区别 |