
极性 N-Channel
耗散功率 110 W
产品系列 IRFZ44ES
漏源极电压Vds 60 V
连续漏极电流Ids 48.0 A
输入电容Ciss 1360pF @25VVds
额定功率Max 110 W
引脚数 3
封装 TO-263-3
封装 TO-263-3
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
ECCN代码 EAR99
型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
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IRFZ44ESTRLPBF | International Rectifier 国际整流器 | Trans MOSFET N-CH 60V 48A 3Pin2+Tab D2PAK T/R | 搜索库存 |
图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
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型号: IRFZ44ESTRLPBF 品牌: International Rectifier 国际整流器 封装: TO-263-3 N-Channel 60V 48A | 当前型号 | Trans MOSFET N-CH 60V 48A 3Pin2+Tab D2PAK T/R | 当前型号 | |
型号: STB55NF06T4 品牌: 意法半导体 封装: TO-263 N-Channel 60V 50A 18mohms | 功能相似 | N 通道 STripFET™ II,STMicroelectronicsSTripFET™ MOSFET,带宽击穿电压范围,可提供超低栅极电话和低接通电阻。### MOSFET 晶体管,STMicroelectronics | IRFZ44ESTRLPBF和STB55NF06T4的区别 | |
型号: STB55NF06LT4 品牌: 意法半导体 封装: TO-263 N-Channel 30V 220A 14mohms | 功能相似 | STMICROELECTRONICS STB55NF06LT4 晶体管, MOSFET, N沟道, 55 A, 30 V, 0.014 ohm, 16 V, 1.7 V | IRFZ44ESTRLPBF和STB55NF06LT4的区别 | |
型号: STB35NF10T4 品牌: 意法半导体 封装: TO-252-3 N-Channel 100V 40A 35mohms | 功能相似 | N 通道 STripFET™,STMicroelectronics### MOSFET 晶体管,STMicroelectronics | IRFZ44ESTRLPBF和STB35NF10T4的区别 |