IPP60R950C6XKSA1

Infineon(英飞凌) 分立器件

Infineon CoolMOS C6 系列 Si N沟道 MOSFET IPP60R950C6XKSA1, 4.4 A, Vds=600 V, 3引脚 TO-220封装

CoolMOS™C6/C7 功率 MOSFET

得捷:
MOSFET N-CH 600V 4.4A TO220-3

欧时:
Infineon CoolMOS C6 系列 Si N沟道 MOSFET IPP60R950C6XKSA1, 4.4 A, Vds=600 V, 3引脚 TO-220封装

艾睿:
Trans MOSFET N-CH 600V 4.4A 3-Pin3+Tab TO-220 Tube

TME:
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 4.4A; 37W; PG-TO220-3

Verical:
Trans MOSFET N-CH 600V 4.4A 3-Pin3+Tab TO-220 Tube

IPP60R950C6XKSA1中文资料参数规格

技术参数

额定功率 37 W

极性 N-Channel

耗散功率 37 W

漏源极电压Vds 600 V

连续漏极电流Ids 4.4A

上升时间 8 ns

输入电容Ciss 280pF @100VVds

下降时间 13 ns

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 37000 mW

封装参数

安装方式 Through Hole

引脚数 3

封装 TO-220

外形尺寸

长度 10.36 mm

宽度 4.57 mm

高度 15.95 mm

封装 TO-220

其他

产品生命周期 Not Recommended for New Designs

包装方式 Rail, Tube

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC

IPP60R950C6XKSA1引脚图与封装图

暂无图片

在线购买IPP60R950C6XKSA1

型号	制造商	描述	购买
IPP60R950C6XKSA1	Infineon 英飞凌	Infineon CoolMOS C6 系列 Si N沟道 MOSFET IPP60R950C6XKSA1, 4.4 A, Vds=600 V, 3引脚 TO-220封装	搜索库存