
漏源极电阻 39 mΩ
极性 N-Channel
耗散功率 3 W
产品系列 IRFR3410
阈值电压 4 V
输入电容 1690pF @25V
漏源极电压Vds 100 V
输入电容Ciss 1690pF @25VVds
额定功率Max 3 W
工作温度Max 175 ℃
工作温度Min -55 ℃
安装方式 Surface Mount
引脚数 3
封装 TO-252-3
长度 6.73 mm
高度 2.39 mm
封装 TO-252-3
工作温度 -55℃ ~ 175℃
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
---|---|---|---|
IRFR3410TRLPBF | International Rectifier 国际整流器 | Trans MOSFET N-CH 100V 31A 3Pin2+Tab DPAK T/R | 搜索库存 |
图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
---|---|---|---|---|
型号: IRFR3410TRLPBF 品牌: International Rectifier 国际整流器 封装: TO-252-3 N-Channel | 当前型号 | Trans MOSFET N-CH 100V 31A 3Pin2+Tab DPAK T/R | 当前型号 | |
型号: STD15NF10T4 品牌: 意法半导体 封装: TO-252 N-Channel 100V 23A 65mohms | 功能相似 | STMICROELECTRONICS STD15NF10T4 晶体管, MOSFET, N沟道, 23 A, 100 V, 65 mohm, 10 V, 3 V | IRFR3410TRLPBF和STD15NF10T4的区别 | |
型号: STD25NF10LT4 品牌: 意法半导体 封装: TO-252 N-Channel 100V 25A 30mΩ | 功能相似 | N 通道 STripFET™ II,STMicroelectronicsSTripFET™ MOSFET,带宽击穿电压范围,可提供超低栅极电话和低接通电阻。### MOSFET 晶体管,STMicroelectronics | IRFR3410TRLPBF和STD25NF10LT4的区别 | |
型号: STD25NF10T4 品牌: 意法半导体 封装: TO-252 N-Channel 100V 12.5A 33mohms | 功能相似 | STMICROELECTRONICS STD25NF10T4 晶体管, MOSFET, N沟道, 12.5 A, 100 V, 33 mohm, 10 V, 3 V | IRFR3410TRLPBF和STD25NF10T4的区别 |