IRF6216PBF
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International Rectifier
国际整流器
分立器件
IRF6216PBF中文资料参数规格
技术参数
通道数 1
漏源极电阻 240 mΩ
极性 P-Channel
耗散功率 2.5 W
产品系列 IRF6216
阈值电压 5 V
漏源极电压Vds 150 V
漏源击穿电压 -150 V
连续漏极电流Ids -2.20 A
上升时间 15 ns
输入电容Ciss 1280pF @25VVds
额定功率Max 2.5 W
下降时间 26 ns
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 2500 mW
封装参数
安装方式 Surface Mount
引脚数 8
封装 SOIC-8
外形尺寸
封装 SOIC-8
物理参数
工作温度 -55℃ ~ 150℃
其他
产品生命周期 Active
包装方式 Tube
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC
REACH SVHC版本 2014/12/17
IRF6216PBF引脚图与封装图
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| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| IRF6216PBF | International Rectifier 国际整流器 | Trans MOSFET P-CH 150V 2.2A 8Pin SOIC Tube | 搜索库存 |
替代型号IRF6216PBF
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： IRF6216PBF 品牌： International Rectifier 国际整流器 封装： SOIC P-Channel -150V -2.2A | 当前型号 | Trans MOSFET P-CH 150V 2.2A 8Pin SOIC Tube | 当前型号 |
| 型号： FDS6375 品牌： 飞兆/仙童 封装： SOIC P-Channel -20V 8A 24mohms 2.69nF | 功能相似 | FAIRCHILD SEMICONDUCTOR FDS6375 晶体管, MOSFET, P沟道, 8 A, -20 V, 24 mohm, -4.5 V, -700 mV | IRF6216PBF和FDS6375的区别 |