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IRF7401TRPBF

IRF7401TRPBF

数据手册.pdf
International Rectifier 国际整流器 分立器件
IRF7401TRPBF中文资料参数规格
技术参数

额定电压DC 20.0 V

额定电流 8.70 A

极性 N-Channel

耗散功率 2.5 W

产品系列 IRF7401

阈值电压 0.7 V

漏源极电压Vds 20 V

漏源击穿电压 20.0 V

连续漏极电流Ids 8.70 A

上升时间 72.0 ns

输入电容Ciss 1600pF @15VVds

额定功率Max 2.5 W

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 8

封装 SOIC-8

外形尺寸

封装 SOIC-8

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

IRF7401TRPBF引脚图与封装图
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IRF7401TRPBF International Rectifier 国际整流器 20V,8.7A,N沟道功率MOSFET 搜索库存
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型号: IRF7401TRPBF

品牌: International Rectifier 国际整流器

封装: SOIC N-Channel 20V 8.7A

当前型号

20V,8.7A,N沟道功率MOSFET

当前型号

型号: STS6NF20V

品牌: 意法半导体

封装: SO N-Channel 20V 6A 30mohms

功能相似

STMICROELECTRONICS  STS6NF20V  晶体管, MOSFET, N沟道, 6 A, 20 V, 45 mohm, 2.7 V, 600 mV

IRF7401TRPBF和STS6NF20V的区别

型号: NDS8425

品牌: 飞兆/仙童

封装: SOIC N-Channel 20V 7.4A 15mohms

功能相似

PowerTrench® N 通道 MOSFET,高达 9.9A,Fairchild Semiconductor### MOSFET 晶体管,Fairchild SemiconductorFairchild 提供大量 MOSFET 设备组合,包括高电压 >250V 低电压 Fairchild MOSFET 通过降低电压峰值和过冲提供极佳的设计可靠性,以减少结电容和反向恢复电荷,无需额外外部元件即可保持系统启动和运行更长时间。

IRF7401TRPBF和NDS8425的区别

型号: SI4426DY-T1-E3

品牌: 威世

封装: SO N-Channel 20V 8.5A to 8.5A 25mΩ

功能相似

SOIC-8 N-CH 20V 6.5A 25mΩ

IRF7401TRPBF和SI4426DY-T1-E3的区别