额定电压DC 20.0 V
额定电流 8.70 A
极性 N-Channel
耗散功率 2.5 W
产品系列 IRF7401
阈值电压 0.7 V
漏源极电压Vds 20 V
漏源击穿电压 20.0 V
连续漏极电流Ids 8.70 A
上升时间 72.0 ns
输入电容Ciss 1600pF @15VVds
额定功率Max 2.5 W
安装方式 Surface Mount
引脚数 8
封装 SOIC-8
封装 SOIC-8
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
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IRF7401TRPBF | International Rectifier 国际整流器 | 20V,8.7A,N沟道功率MOSFET | 搜索库存 |
图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
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型号: IRF7401TRPBF 品牌: International Rectifier 国际整流器 封装: SOIC N-Channel 20V 8.7A | 当前型号 | 20V,8.7A,N沟道功率MOSFET | 当前型号 | |
型号: STS6NF20V 品牌: 意法半导体 封装: SO N-Channel 20V 6A 30mohms | 功能相似 | STMICROELECTRONICS STS6NF20V 晶体管, MOSFET, N沟道, 6 A, 20 V, 45 mohm, 2.7 V, 600 mV | IRF7401TRPBF和STS6NF20V的区别 | |
型号: NDS8425 品牌: 飞兆/仙童 封装: SOIC N-Channel 20V 7.4A 15mohms | 功能相似 | PowerTrench® N 通道 MOSFET,高达 9.9A,Fairchild Semiconductor### MOSFET 晶体管,Fairchild SemiconductorFairchild 提供大量 MOSFET 设备组合,包括高电压 >250V 低电压 Fairchild MOSFET 通过降低电压峰值和过冲提供极佳的设计可靠性,以减少结电容和反向恢复电荷,无需额外外部元件即可保持系统启动和运行更长时间。 | IRF7401TRPBF和NDS8425的区别 | |
型号: SI4426DY-T1-E3 品牌: 威世 封装: SO N-Channel 20V 8.5A to 8.5A 25mΩ | 功能相似 | SOIC-8 N-CH 20V 6.5A 25mΩ | IRF7401TRPBF和SI4426DY-T1-E3的区别 |