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IRF7329TRPBF

IRF7329TRPBF

数据手册.pdf
International Rectifier 国际整流器 分立器件

MOSFET, Power; Dual P-Ch; VDSS -12V; RDSON 17 Milliohms; ID -9.2A; SO-8; PD 2W; -55de

**HEXFET® P-Channel Power MOSFETs, Infineon**

HEXFET® Power MOSFETs present a variety of rugged single P-channel devices for AC-DC and DC-DC power supplies to audio and consumer electronics, motor control and lighting and home appliances.


艾睿:
Trans MOSFET P-CH 12V 9.2A 8-Pin SOIC T/R


Allied Electronics:
MOSFET, Power; Dual P-Ch; VDSS -12V; RDSON 17 Milliohms; ID -9.2A; SO-8; PD 2W; -55de


Verical:
Trans MOSFET P-CH Si 12V 9.2A 8-Pin SOIC T/R


DeviceMart:
MOSFET 2P-CH 12V 9.2A 8-SOIC


IRF7329TRPBF中文资料参数规格
技术参数

额定电压DC -12.0 V

额定电流 -9.20 A

漏源极电阻 30 mΩ

极性 Dual P-Channel

耗散功率 2 W

漏源极电压Vds 12 V

连续漏极电流Ids 9.20 A

输入电容Ciss 3450pF @10VVds

额定功率Max 2 W

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 8

封装 SOIC-8

外形尺寸

长度 5 mm

高度 1.5 mm

封装 SOIC-8

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃

其他

产品生命周期 Unknown

包装方式 Cut Tape CT

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

IRF7329TRPBF引脚图与封装图
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型号 制造商 描述 购买
IRF7329TRPBF International Rectifier 国际整流器 MOSFET, Power; Dual P-Ch; VDSS -12V; RDSON 17 Milliohms; ID -9.2A; SO-8; PD 2W; -55de 搜索库存
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型号: IRF7329TRPBF

品牌: International Rectifier 国际整流器

封装: SOIC Dual P-Channel 12V 9.2A

当前型号

MOSFET, Power; Dual P-Ch; VDSS -12V; RDSON 17 Milliohms; ID -9.2A; SO-8; PD 2W; -55de

当前型号

型号: SI4943BDY-T1-E3

品牌: 威世

封装: 8-SOIC Dual P-Channel 20V 8.4A 19mΩ

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