锐单电子商城 , 一站式电子元器件采购平台!
  • 电话:400-990-0325

IRF634B_FP001

IRF634B_FP001

数据手册.pdf
Fairchild 飞兆/仙童 分立器件
IRF634B_FP001中文资料参数规格
技术参数

漏源极电阻 450 mΩ

极性 N-Channel

耗散功率 74 W

漏源极电压Vds 250 V

漏源击穿电压 250 V

栅源击穿电压 ±30.0 V

连续漏极电流Ids 8.10 A

上升时间 75 ns

输入电容Ciss 1000pF @25VVds

下降时间 65 ns

耗散功率Max 74W Tc

封装参数

安装方式 Through Hole

引脚数 3

封装 TO-220-3

外形尺寸

封装 TO-220-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Not Recommended for New Designs

包装方式 Rail, Tube

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

海关信息

ECCN代码 EAR99

IRF634B_FP001引脚图与封装图
暂无图片
在线购买IRF634B_FP001
型号 制造商 描述 购买
IRF634B_FP001 Fairchild 飞兆/仙童 Trans MOSFET N-CH 250V 8.1A 3Pin3+Tab TO-220 Tube 搜索库存
替代型号IRF634B_FP001
图片 型号/品牌/封装 代替类型 描述 替代型号对比

型号: IRF634B_FP001

品牌: Fairchild 飞兆/仙童

封装: TO-220 N-Channel 250V 8.1A 450mohms

当前型号

Trans MOSFET N-CH 250V 8.1A 3Pin3+Tab TO-220 Tube

当前型号

型号: SPA04N80C3

品牌: 英飞凌

封装: TO-220 N-Channel 800V 4A

功能相似

INFINEON  SPA04N80C3  功率场效应管, MOSFET, N沟道, 4 A, 800 V, 1.1 ohm, 10 V, 3 V

IRF634B_FP001和SPA04N80C3的区别

型号: SPA06N80C3

品牌: 英飞凌

封装: TO-220 N-Channel 800V 6A

功能相似

INFINEON  SPA06N80C3  功率场效应管, MOSFET, N沟道, 6 A, 800 V, 0.78 ohm, 10 V, 3 V

IRF634B_FP001和SPA06N80C3的区别

型号: STP80NF55-06

品牌: 意法半导体

封装: TO-220 N-Channel 55V 80A 6.5mΩ

功能相似

STMICROELECTRONICS  STP80NF55-06  晶体管, MOSFET, N沟道, 80 A, 55 V, 6.5 mohm, 10 V, 3 V

IRF634B_FP001和STP80NF55-06的区别