![IRF634B_FP001](https://image.ruidan.com/images/ics/ic_174/chanpintu/irf634b-fp001-IfpVbEQH-GqKNN5PZn.png)
漏源极电阻 450 mΩ
极性 N-Channel
耗散功率 74 W
漏源极电压Vds 250 V
漏源击穿电压 250 V
栅源击穿电压 ±30.0 V
连续漏极电流Ids 8.10 A
上升时间 75 ns
输入电容Ciss 1000pF @25VVds
下降时间 65 ns
耗散功率Max 74W Tc
安装方式 Through Hole
引脚数 3
封装 TO-220-3
封装 TO-220-3
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
产品生命周期 Not Recommended for New Designs
包装方式 Rail, Tube
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
ECCN代码 EAR99
型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
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IRF634B_FP001 | Fairchild 飞兆/仙童 | Trans MOSFET N-CH 250V 8.1A 3Pin3+Tab TO-220 Tube | 搜索库存 |
图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
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型号: IRF634B_FP001 品牌: Fairchild 飞兆/仙童 封装: TO-220 N-Channel 250V 8.1A 450mohms | 当前型号 | Trans MOSFET N-CH 250V 8.1A 3Pin3+Tab TO-220 Tube | 当前型号 | |
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型号: STP80NF55-06 品牌: 意法半导体 封装: TO-220 N-Channel 55V 80A 6.5mΩ | 功能相似 | STMICROELECTRONICS STP80NF55-06 晶体管, MOSFET, N沟道, 80 A, 55 V, 6.5 mohm, 10 V, 3 V | IRF634B_FP001和STP80NF55-06的区别 |