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IKD04N60RATMA1

IKD04N60RATMA1

数据手册.pdf
Infineon(英飞凌) 分立器件

Trans IGBT Chip N-CH 600V 8A 75000mW Automotive 3Pin2+Tab DPAK T/R

IGBT 沟槽型场截止 600 V 8 A 75 W 表面贴装型 PG-TO252-3


得捷:
IGBT TRENCH/FS 600V 8A TO252-3


贸泽:
IGBT Transistors IGBT w/ INTG DIODE 600V 8A


艾睿:
Trans IGBT Chip N-CH 600V 8A 75000mW Automotive 3-Pin2+Tab DPAK T/R


安富利:
RC-Drives IGBT technology has been developed by Infineon as a cost optimized solution for sensitive consumer drives market. This basic technology provides outstanding performance for permanent magnet synchronous and brushless DC motor drives.


Chip1Stop:
TRENCHSTOP RC-SERIES FOR HARD SWITCHING APPLICATIONS


Verical:
Trans IGBT Chip N-CH 600V 8A 75000mW Automotive 3-Pin2+Tab DPAK T/R


Win Source:
IGBT 600V 8A 75W TO252


IKD04N60RATMA1中文资料参数规格
技术参数

耗散功率 75 W

击穿电压集电极-发射极 600 V

反向恢复时间 43 ns

额定功率Max 75 W

工作温度Max 175 ℃

工作温度Min -40 ℃

耗散功率Max 75000 mW

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 3

封装 TO-252-3

外形尺寸

封装 TO-252-3

物理参数

工作温度 -40℃ ~ 175℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

制造应用 Fridge compressors

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

海关信息

ECCN代码 EAR99

IKD04N60RATMA1引脚图与封装图
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IKD04N60RATMA1 Infineon 英飞凌 Trans IGBT Chip N-CH 600V 8A 75000mW Automotive 3Pin2+Tab DPAK T/R 搜索库存