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IRF8113PBF

IRF8113PBF

数据手册.pdf
International Rectifier 国际整流器 分立器件

N沟道 30V 17.2A

N-Channel 30V 17.2A Ta 2.5W Ta Surface Mount 8-SO


得捷:
HEXFET POWER MOSFET


立创商城:
N沟道 30V 17.2A


艾睿:
Trans MOSFET N-CH 30V 17.2A 8-Pin SOIC Tube


Verical:
Trans MOSFET N-CH 30V 17.2A 8-Pin SOIC Tube


IRF8113PBF中文资料参数规格
技术参数

额定电压DC 30.0 V

额定电流 16.6 A

漏源极电阻 6.8 mΩ

极性 N-Channel

耗散功率 2.5 W

产品系列 IRF8113

阈值电压 2.2 V

输入电容 2910pF @15V

漏源极电压Vds 30 V

漏源击穿电压 30 V

连续漏极电流Ids 17.2 A

上升时间 8.90 ns

输入电容Ciss 2910pF @15VVds

额定功率Max 2.5 W

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 8

封装 SOIC-8

外形尺寸

长度 5 mm

高度 1.5 mm

封装 SOIC-8

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tube

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC

REACH SVHC版本 2014/12/17

IRF8113PBF引脚图与封装图
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IRF8113PBF International Rectifier 国际整流器 N沟道 30V 17.2A 搜索库存
替代型号IRF8113PBF
图片 型号/品牌/封装 代替类型 描述 替代型号对比

型号: IRF8113PBF

品牌: International Rectifier 国际整流器

封装: SOIC N-Channel 30V 17.2A

当前型号

N沟道 30V 17.2A

当前型号

型号: FDS6676AS

品牌: 飞兆/仙童

封装: SO N-Channel 30V 14.5A 7mohms

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