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IRF7341QTRPBF

IRF7341QTRPBF

数据手册.pdf
International Rectifier 国际整流器 分立器件

Trans MOSFET N-CH 55V 5.1A 8Pin SOIC T/R

**Benefits:**

* Advanced Process Technology Dual N-Channel MOSFET

* Ultra Low On-Resistance

* 175°C Operating Temperature

* Repetitive Avalanche Allowed up to Tjmax

* Lead-Free


艾睿:
Trans MOSFET N-CH Si 55V 5.1A 8-Pin SOIC T/R


Allied Electronics:
55V DUAL N-CHANNEL HEXFET POWER MOSFET IN A SO-8 PACKAGE


TME:
Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 55V; 5.1A; 2W; SO8


Verical:
Trans MOSFET N-CH 55V 5.1A 8-Pin SOIC T/R


IRF7341QTRPBF中文资料参数规格
技术参数

额定功率 2 W

漏源极电阻 0.065 Ω

极性 Dual N-Channel

耗散功率 2.4 W

产品系列 IRF7341Q

输入电容 780pF @25V

漏源极电压Vds 55 V

漏源击穿电压 55 V

连续漏极电流Ids 4.70 A

热阻 62.5℃/W RθJA

输入电容Ciss 780pF @25VVds

额定功率Max 2.4 W

工作温度Max 175 ℃

工作温度Min -55 ℃

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 8

封装 SO-8

外形尺寸

长度 5 mm

高度 1.5 mm

封装 SO-8

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

IRF7341QTRPBF引脚图与封装图
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