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IRF7455PBF

IRF7455PBF

数据手册.pdf
International Rectifier 国际整流器 分立器件

MOSFET, Power; N-Ch; VDSS 30V; RDSON 0.06Ω; ID 15A; SO-8; PD 2.5W; VGS +/-12V; gFS 4

**N-Channel Power MOSFET 13A to 19A, Infineon**

Infineon"s range of diskrete HEXFET® power MOSFETs includes N-channel devices in surface mount and leaded packages and form factors that can address almost any board layout and thermal design challenge. Across the range benchmark on resistance drives down conduction losses, allowing designers to deliver optimum system efficiency.


艾睿:
Trans MOSFET N-CH 30V 15A 8-Pin SOIC Tube


Allied Electronics:
MOSFET, Power; N-Ch; VDSS 30V; RDSON 0.06Ohm; ID 15A; SO-8; PD 2.5W; VGS +/-12V; gFS 4


Verical:
Trans MOSFET N-CH 30V 15A 8-Pin SOIC Tube


Newark:
The IRF7455PBF is a 30V single N-channel HEXFET® Power MOSFET with extremely low on-resistance per silicon area and fast switching performance using advanced planar technology.


IRF7455PBF中文资料参数规格
技术参数

额定电压DC 30.0 V

额定电流 15.0 A

漏源极电阻 0.02 Ω

极性 N-Channel

耗散功率 2.5 W

产品系列 IRF7455

输入电容 3480pF @25V

漏源极电压Vds 30 V

漏源击穿电压 30 V

连续漏极电流Ids 15.0 A

上升时间 18.0 ns

输入电容Ciss 3480pF @25VVds

额定功率Max 2.5 W

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 8

封装 SOIC-8

外形尺寸

长度 5 mm

高度 1.5 mm

封装 SOIC-8

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Rail, Tube

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC

IRF7455PBF引脚图与封装图
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型号 制造商 描述 购买
IRF7455PBF International Rectifier 国际整流器 MOSFET, Power; N-Ch; VDSS 30V; RDSON 0.06Ω; ID 15A; SO-8; PD 2.5W; VGS +/-12V; gFS 4 搜索库存
替代型号IRF7455PBF
图片 型号/品牌/封装 代替类型 描述 替代型号对比

型号: IRF7455PBF

品牌: International Rectifier 国际整流器

封装: SOIC N-Channel 30V 15A

当前型号

MOSFET, Power; N-Ch; VDSS 30V; RDSON 0.06Ω; ID 15A; SO-8; PD 2.5W; VGS +/-12V; gFS 4

当前型号

型号: STS11N3LLH5

品牌: 意法半导体

封装: SOIC N-Channel

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